Institutional Repository of Chinese Acad Sci, Inst Intelligent Machines, Hefei 230031, Anhui, Peoples R China
纳米二氧化铈化学共沉淀法制备及结构表征 | |
刘锦淮; 刘伟; 焦正; 余增亮 | |
2003 | |
发表期刊 | 电子元件与材料 |
合作性质 | 其它 |
学科领域 | 纳米材料与技术 |
收录类别 | 其他 |
文献类型 | 期刊论文 |
条目标识符 | http://ir.hfcas.ac.cn:8080/handle/334002/1058 |
专题 | 中科院合肥智能机械研究所 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 刘锦淮,刘伟,焦正,等. 纳米二氧化铈化学共沉淀法制备及结构表征[J]. 电子元件与材料,2003,22(7). |
APA | 刘锦淮,刘伟,焦正,&余增亮.(2003).纳米二氧化铈化学共沉淀法制备及结构表征.电子元件与材料,22(7). |
MLA | 刘锦淮,et al."纳米二氧化铈化学共沉淀法制备及结构表征".电子元件与材料 22.7(2003). |
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纳米二氧化铈化学共沉淀法制备及结构表征.(105KB) | 开放获取 | 使用许可 | 浏览 下载 |
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