新型hollandite结构化合物BiIr4Se8单晶的生长,结构与基本物性研究

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	新型hollandite结构化合物BiIr4Se8单晶的生长,结构与基本物性研究
其他题名	Synthesis, Structure and Physical Properties of Single Crystal Hollandite BiIr4Se8
	Luo Lei 1; Ge Min 2; Yang Jun 1; Gong Jixiang 1; Pi Li1
	2018
发表期刊	低温物理学报
ISSN	1000-3258
摘要	通过助溶剂法制得新型单晶BiIr4Se8.能量色散X射线谱确定样品元素比例约为Bi：Ir：Se≈1：4：8.利用粉末与单晶X射线衍射技术确定了单晶属于单斜晶系,具有扭曲的hollandite结构,其中的一维通道被Bi原子占据.300K以下的电阻与磁化率测试表明,样品属于半导体,且表现抗磁性.Bi在一维通道的无序暗示该材料是一种潜在的热电材料.这种结构容易受掺杂与压力的影响,为进一步探索5d过渡金属化合物中复杂的物理现象提供了良好的平台.
其他摘要	New single crystal BiIr4Se8 is successfully synthesized using self flux method. The chemical formula and atomic component are confirmed by energy dispersive spectroscopy. Powder and single crystal X-ray diffraction reveal a distorted hollandite structure, with one-dimensional channels occupied by Bi. Transport and magnetic measurements show that it is a diamagnetic semiconductor. Besides the potential as a good thermoelectric material, its adjustable structure provides a broad platform to discover new physical phenomena.
关键词	晶体生长 hollandite结构一维通道铱化物
收录类别	CSCD
语种	中文
CSCD记录号	CSCD:6279438
引用统计
文献类型	期刊论文
条目标识符	http://ir.hfcas.ac.cn:8080/handle/334002/106284
专题	中国科学院合肥物质科学研究院
作者单位	1.中国科学院强磁场科学中心 2.中国科学技术大学
推荐引用方式 GB/T 7714	Luo Lei,Ge Min,Yang Jun,等. 新型hollandite结构化合物BiIr4Se8单晶的生长,结构与基本物性研究[J]. 低温物理学报,2018,40.0.
APA	Luo Lei,Ge Min,Yang Jun,Gong Jixiang,&Pi Li.(2018).新型hollandite结构化合物BiIr4Se8单晶的生长,结构与基本物性研究.低温物理学报,40.0.
MLA	Luo Lei,et al."新型hollandite结构化合物BiIr4Se8单晶的生长,结构与基本物性研究".低温物理学报 40.0(2018).