一种侧向生长 ZnMgO 纳米线日盲区紫外探测器及其制备方法

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	邵景珍; 方晓东; 董伟伟; 邓赞红; 秦娟娟
	2014-12-24
专利权人	中国科学院安徽光学精密机械研究所
公开日期	2014-12-24
授权国家	中国
专利类型	发明
申请日期	2013-04-10
申请号	CN201310123454.3
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.hfcas.ac.cn:8080/handle/334002/13299
专题	中科院安徽光学精密机械研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	邵景珍,方晓东,董伟伟,等. 一种侧向生长 ZnMgO 纳米线日盲区紫外探测器及其制备方法, 一种侧向生长 ZnMgO 纳米线日盲区紫外探测器及其制备方法, 一种侧向生长 ZnMgO 纳米线日盲区紫外探测器及其制备方法, 一种侧向生长 ZnMgO 纳米线日盲区紫外探测器及其制备方法, 一种侧向生长 ZnMgO 纳米线日盲区紫外探测器及其制备方法, 一种侧向生长 ZnMgO 纳米线日盲区紫外探测器及其制备方法, 一种侧向生长 ZnMgO 纳米线日盲区紫外探测器及其制备方法, 一种侧向生长 ZnMgO 纳米线日盲区紫外探测器及其制备方法[P]. 2014-12-24.

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201310123454-一种侧向生长Z（674KB）			开放获取	使用许可	浏览下载