Institutional Repository of Chinese Acad Sci, Inst Solid State Phys， Hefei 230031, Anhui, Peoples R China
| 制备氮化镓单晶薄膜材料的装置及方法; 制备氮化镓单晶薄膜材料的装置及方法; 制备氮化镓单晶薄膜材料的装置及方法; 制备氮化镓单晶薄膜材料的装置及方法 | |
| 刘贵锋; 解新建; 王玉琦 | |
| 2007 | |
| 专利权人 | 中国科学院合肥研究院 |
| 公开日期 | 2009-11-10 ; 2009-11-10 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明 |
| 学科领域 | 纳米材料与技术 |
| 申请日期 | 2006 |
| 专利号 | cn101045997 |
| 申请号 | cn200610039392 |
| PCT属性 | 是 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.hfcas.ac.cn:8080/handle/334002/1692 |
| 专题 | 中科院固体物理研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 刘贵锋,解新建,王玉琦. 制备氮化镓单晶薄膜材料的装置及方法, 制备氮化镓单晶薄膜材料的装置及方法, 制备氮化镓单晶薄膜材料的装置及方法, 制备氮化镓单晶薄膜材料的装置及方法. cn101045997[P]. 2007-01-01. |
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| 200610039392.pdf（881KB） | 开放获取 | 使用许可 | 浏览 下载 | |||
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