中科院固体物理研究所知识库

QQ客服 官方微博 反馈留言

	Annealing temperature dependence on the structural and optical properties of sputtering-grown high-k HfO2 gate dielectrics
	B. Deng1; G. He1,2; X. S. Chen2; X. F. Chen1; J. W. Zhang1; M. Liu3; J. G. Lv4; Z. Q. Sun1
	2014
发表期刊	J Mater Sci: Mater Electron
WOS记录号	WOS:000340496700073
引用统计	被引频次：12[WOS]   [WOS记录]     [WOS相关记录]
文献类型	期刊论文
条目标识符	http://ir.hfcas.ac.cn:8080/handle/334002/20500
专题	中科院固体物理研究所
作者单位	1.Anhui Univ, Sch Phys & Mat Sci, Hefei 230601, Peoples R China 2.Chinese Acad Sci, Shanghai Inst Tech Phys, Natl Lab Infrared Phys, Shanghai 200083, Peoples R China 3.Chinese Acad Sci, Inst Solid State Phys, Key Lab Mat Phys, Anhui Key Lab Nanomat & Nanostruct, Hefei 230031, Peoples R China 4.Hefei Normal Univ, Dept Phys & Elect Engn, Hefei 230061, Peoples R China
推荐引用方式 GB/T 7714	B. Deng,G. He,X. S. Chen,et al. Annealing temperature dependence on the structural and optical properties of sputtering-grown high-k HfO2 gate dielectrics[J]. J Mater Sci: Mater Electron,2014,25(9):4163-4169.
APA	B. Deng.,G. He.,X. S. Chen.,X. F. Chen.,J. W. Zhang.,...&Z. Q. Sun.(2014).Annealing temperature dependence on the structural and optical properties of sputtering-grown high-k HfO2 gate dielectrics.J Mater Sci: Mater Electron,25(9),4163-4169.
MLA	B. Deng,et al."Annealing temperature dependence on the structural and optical properties of sputtering-grown high-k HfO2 gate dielectrics".J Mater Sci: Mater Electron 25.9(2014):4163-4169.

条目包含的文件		下载所有文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
Annealing temperatur（3172KB）	期刊论文	作者接受稿	开放获取	CC BY-NC-SA	浏览 下载

个性服务

推荐该条目

保存到收藏夹

查看访问统计

导出为Endnote文件

谷歌学术

谷歌学术中相似的文章

[B. Deng]的文章

[G. He]的文章

[X. S. Chen]的文章

百度学术

百度学术中相似的文章

[B. Deng]的文章

[G. He]的文章

[X. S. Chen]的文章

必应学术

必应学术中相似的文章

[B. Deng]的文章

[G. He]的文章

[X. S. Chen]的文章

相关权益政策

暂无数据

收藏/分享

除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。