中科院固体物理研究所知识库

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	Interfacial Control and Modulation of Band Alignment of Atomic Layer Deposition-Derived HfO2/Si Gate Stack by Rapid Thermal Annealing
	H. H. Wei1; G. He1,2; M. Liu3; Y. M. Liu1; M. Zhang1; X. S. Chen2; Z. Q. Sun1
	2014
发表期刊	SCIENCE OF ADVANCED MATERIALS
WOS记录号	WOS:000348711900009
引用统计	被引频次：5[WOS]   [WOS记录]     [WOS相关记录]
文献类型	期刊论文
条目标识符	http://ir.hfcas.ac.cn:8080/handle/334002/20765
专题	中科院固体物理研究所
作者单位	1.School of Physics and Materials Science, Radiation Detection Materials and Devices Lab, Anhui University, Hefei 230601, China 2.National Laboratory for Infrared Physics, Chinese Academy of Sciences, Shanghai Institute of Technical Physics, 500 Yutian Road, Shanghai 200083, China 3.Key Laboratory of Materials Physics, Anhui Key Laboratory of Nanomaterials and Nanostructure, Institute of Solid State Physics, Chinese Academy of Sciences, Hefei 230031, China
推荐引用方式 GB/T 7714	H. H. Wei,G. He,M. Liu,et al. Interfacial Control and Modulation of Band Alignment of Atomic Layer Deposition-Derived HfO2/Si Gate Stack by Rapid Thermal Annealing[J]. SCIENCE OF ADVANCED MATERIALS,2014,6(12):2652-2658.
APA	H. H. Wei.,G. He.,M. Liu.,Y. M. Liu.,M. Zhang.,...&Z. Q. Sun.(2014).Interfacial Control and Modulation of Band Alignment of Atomic Layer Deposition-Derived HfO2/Si Gate Stack by Rapid Thermal Annealing.SCIENCE OF ADVANCED MATERIALS,6(12),2652-2658.
MLA	H. H. Wei,et al."Interfacial Control and Modulation of Band Alignment of Atomic Layer Deposition-Derived HfO2/Si Gate Stack by Rapid Thermal Annealing".SCIENCE OF ADVANCED MATERIALS 6.12(2014):2652-2658.

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