中科院固体物理研究所知识库

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	Oxygen vacancies-induced metal-insulator transition in La2/3Sr1/3VO3 thin films: Role of the oxygen substrate-to-film transfer
	L. Hu1; X. Luo1; K. J. Zhang1; X. W. Tang1; L. Zu1; X. C. Kan1; L. Chen1; X. B. Zhu1; W. H. Song1; J. M. Dai1; Y. P. Sun1,2,3
	2014
发表期刊	APPLIED PHYSICS LETTERS
WOS记录号	WOS:000342995800026
引用统计	被引频次：12[WOS]   [WOS记录]     [WOS相关记录]
文献类型	期刊论文
条目标识符	http://ir.hfcas.ac.cn:8080/handle/334002/20792
专题	中科院固体物理研究所
作者单位	1.Key Laboratory of Materials Physics, Institute of Solid State Physics, Chinese Academy of Sciences, Hefei 230031, People’s Republic of China 2.High Magnetic Field Laboratory, Chinese Academy of Sciences, Hefei 230031, People’s Republic of China 3.Collaborative Innovation Center of Advanced Microstructures, Nanjing 210093, People’s Republic of China
推荐引用方式 GB/T 7714	L. Hu,X. Luo,K. J. Zhang,et al. Oxygen vacancies-induced metal-insulator transition in La2/3Sr1/3VO3 thin films: Role of the oxygen substrate-to-film transfer[J]. APPLIED PHYSICS LETTERS,2014,105(11):1-4.
APA	L. Hu.,X. Luo.,K. J. Zhang.,X. W. Tang.,L. Zu.,...&Y. P. Sun.(2014).Oxygen vacancies-induced metal-insulator transition in La2/3Sr1/3VO3 thin films: Role of the oxygen substrate-to-film transfer.APPLIED PHYSICS LETTERS,105(11),1-4.
MLA	L. Hu,et al."Oxygen vacancies-induced metal-insulator transition in La2/3Sr1/3VO3 thin films: Role of the oxygen substrate-to-film transfer".APPLIED PHYSICS LETTERS 105.11(2014):1-4.

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