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金属间化合物Mg2Si的研究进展
熊伟1; 秦晓英1; 王莉1
2005
发表期刊材料导报
ISSN1005-023X
摘要金属间化合物Mg2Si作为高强轻质结构材料以及半导体热电材料均很有发展前途。综述了Mg2Si的基本性质、制备工艺和应用,着重阐述了Mg2Si制备及其作为增强相的研究进展,指出了存在的问题以及今后的研究方向。
关键词Mg2Si 金属间化合物 研究进展 半导体热电材料 发展前途 结构材料 基本性质 制备工艺 研究方向 增强相
收录类别CSCD
语种中文
CSCD记录号CSCD:2088253
引用统计
被引频次:14[CSCD]   [CSCD记录]
文献类型期刊论文
条目标识符http://ir.hfcas.ac.cn:8080/handle/334002/48782
专题中国科学院合肥物质科学研究院
作者单位1.中国科学院固体物理研究所
2.中国科学院固体物理研究所
3.中国科学院固体物理研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
熊伟,秦晓英,王莉. 金属间化合物Mg2Si的研究进展[J]. 材料导报,2005,019.
APA 熊伟,秦晓英,&王莉.(2005).金属间化合物Mg2Si的研究进展.材料导报,019.
MLA 熊伟,et al."金属间化合物Mg2Si的研究进展".材料导报 019(2005).
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