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金属间化合物Mg2Si的研究进展 | |
熊伟1; 秦晓英1; 王莉1 | |
2005 | |
发表期刊 | 材料导报 |
ISSN | 1005-023X |
摘要 | 金属间化合物Mg2Si作为高强轻质结构材料以及半导体热电材料均很有发展前途。综述了Mg2Si的基本性质、制备工艺和应用,着重阐述了Mg2Si制备及其作为增强相的研究进展,指出了存在的问题以及今后的研究方向。 |
关键词 | Mg2Si 金属间化合物 研究进展 半导体热电材料 发展前途 结构材料 基本性质 制备工艺 研究方向 增强相 |
收录类别 | CSCD |
语种 | 中文 |
CSCD记录号 | CSCD:2088253 |
引用统计 | |
文献类型 | 期刊论文 |
条目标识符 | http://ir.hfcas.ac.cn:8080/handle/334002/48782 |
专题 | 中国科学院合肥物质科学研究院 |
作者单位 | 1.中国科学院固体物理研究所 2.中国科学院固体物理研究所 3.中国科学院固体物理研究所 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 熊伟,秦晓英,王莉. 金属间化合物Mg2Si的研究进展[J]. 材料导报,2005,019. |
APA | 熊伟,秦晓英,&王莉.(2005).金属间化合物Mg2Si的研究进展.材料导报,019. |
MLA | 熊伟,et al."金属间化合物Mg2Si的研究进展".材料导报 019(2005). |
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