中科院固体物理研究所知识库

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	hfO2-GaAs metal-oxide-semiconductor capacitor using dimethylaluminumhydride-deived aluminum oxynitride interfacial passivation layer
	G. He; L. D. Zhang; M. Liu; Z. Q. Sun
	2010
发表期刊	APPLIED PHYSICS LETTERS
学科领域	纳米材料与技术
文献类型	期刊论文
条目标识符	http://ir.hfcas.ac.cn:8080/handle/334002/5206
专题	中科院固体物理研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	G. He,L. D. Zhang,M. Liu,et al. hfO2-GaAs metal-oxide-semiconductor capacitor using dimethylaluminumhydride-deived aluminum oxynitride interfacial passivation layer[J]. APPLIED PHYSICS LETTERS,2010.
APA	G. He,L. D. Zhang,M. Liu,&Z. Q. Sun.(2010).hfO2-GaAs metal-oxide-semiconductor capacitor using dimethylaluminumhydride-deived aluminum oxynitride interfacial passivation layer.APPLIED PHYSICS LETTERS.
MLA	G. He,et al."hfO2-GaAs metal-oxide-semiconductor capacitor using dimethylaluminumhydride-deived aluminum oxynitride interfacial passivation layer".APPLIED PHYSICS LETTERS (2010).

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