Institutional Repository of Chinese Academy of Sciences, Institute of Plasma Physics, Hefei 230031, Anhui, Peoples R China
| 基片温度对纳米金刚石薄膜制备的影响 | |
| 江川; 汪建华; 熊礼威; 翁俊; 苏含; 刘鹏飞 | |
| 2012 | |
| 发表期刊 | 武汉工程大学学报
 |
| 摘要 | 采用多模谐振腔微波等离子体CVD在不同基片温度下制备了纳米金刚石薄膜,通过扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)和拉曼光谱测试,研究了基片温度对纳米金刚石薄膜性能的影响.结果表明:在其他工艺条件不变时,基片温度对薄膜性能具有较大的影响,较低的基片温度更有利于制备高质量的纳米金刚石薄膜,实验所获得的优化基片温度为720℃左右. |
| 关键词 | 微波等离子体 化学气相沉积 纳米金刚石薄膜 沉积温度 |
| 文献类型 | 期刊论文 |
| 条目标识符 | http://ir.hfcas.ac.cn:8080/handle/334002/5440 |
| 专题 | 中科院等离子体物理研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 江川,汪建华,熊礼威,等. 基片温度对纳米金刚石薄膜制备的影响[J]. 武汉工程大学学报,2012(4):39-42+46. |
| APA | 江川,汪建华,熊礼威,翁俊,苏含,&刘鹏飞.(2012).基片温度对纳米金刚石薄膜制备的影响.武汉工程大学学报(4),39-42+46. |
| MLA | 江川,et al."基片温度对纳米金刚石薄膜制备的影响".武汉工程大学学报 .4(2012):39-42+46. |
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