Knowledge Management System of Hefei Institute of Physical Science，CAS
| 高压熔体法生长高质量CdSe单晶 | |
| 其他题名 | Growth of High Quality CdSe Single Crystal by High-Pressure Melt Method |
| 2018 | |
| 发表期刊 | 硅酸盐学报
 |
| ISSN | 0454-5648 |
| 摘要 | CdSe晶体是一种性能优异的非线性光学材料，但目前常规的生长方法很难生长出高质量单晶。本实验在理论推导的基础上，采用高压熔体法生长出了较大尺寸的CdSe晶体棒，并采用X射线衍射仪、能谱分析仪、腐蚀坑观察、Fourier变换红外光谱仪对单晶性能进行表征。结果表明：高压熔体法生长的CdSe单晶组分接近理想化学计量比（CdSe0.989），且具备结构完整、位错密度小（10^4/cm^2）、结晶质量高（FWHM≤0.1°）、吸收系数低（0.03cm^-1以内），有望用于非线性光学频率转换实验。 |
| 其他摘要 | It is difficult for conventional growth methods to prepare high quality CdSe single crystals. Based on the theoretical deduction, we obtained large crystals by a high-pressure melt growth method. The crystal samples were characterized by X-ray diffraction, etch-pit observation, energy dispersive spectroscopy and Fourier transform infrared spectroscopy, respectively. The results show that the crystal component has a little deviation of stoichiometric ratio （i.e., CdSe0.989）, small dislocations （i.e., 10^4/cm^2）, good crystalline integrity （i.e., FWHM≤0.1°） and low absorption coefficient （i.e., 〈 0.03 cm^-1）. The crystal grown by this method could be used in the nonlinear optical frequency conversion. |
| 关键词 | 硒化镉晶体 高压熔体法 分解率 光学质量 |
| 收录类别 | CSCD |
| 语种 | 中文 |
| CSCD记录号 | CSCD:6218166 |
| 引用统计 | |
| 文献类型 | 期刊论文 |
| 条目标识符 | http://ir.hfcas.ac.cn:8080/handle/334002/60688 |
| 专题 | 中国科学院合肥物质科学研究院 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | . 高压熔体法生长高质量CdSe单晶[J]. 硅酸盐学报,2018,046. |
| APA | (2018).高压熔体法生长高质量CdSe单晶.硅酸盐学报,046. |
| MLA | "高压熔体法生长高质量CdSe单晶".硅酸盐学报 046(2018). |
| 条目包含的文件 | 条目无相关文件。 | |||||
| 个性服务 |
| 推荐该条目 |
| 保存到收藏夹 |
| 查看访问统计 |
| 导出为Endnote文件 |
| 谷歌学术 |
| 谷歌学术中相似的文章 |
| 百度学术 |
| 百度学术中相似的文章 |
| 必应学术 |
| 必应学术中相似的文章 |
| 相关权益政策 |
| 暂无数据 |
| 收藏/分享 |
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。
修改评论