基于Au辅助化学刻蚀法实现低成本制备硅纳米线阵列

HFCAS OpenIR

	基于Au辅助化学刻蚀法实现低成本制备硅纳米线阵列
其他题名	Low-cost Preparation of Si Nanowires Array through Au-assisted Chemical Etching
	2015-01-01
发表期刊	半导体光电
ISSN	1001-5868
摘要	Au在Si表面的成膜质量对金属辅助化学刻蚀法制备硅纳米线至关重要。以Ti、Cr作为浸润层，可显著改善Au在硅表面的成岛趋势，获得优质的Au膜并大幅度减少Au的使用量。同时，针对加入Ti、Cr后对Au辅助化学刻蚀影响的研究表明，Cr在刻蚀液中是稳定的，因此阻碍了Au催化刻蚀反应，而Ti与反应溶液快速反应，不影响Au对Si衬底化学刻蚀的催化作用。基于以上工作，以PS球为模板沉积制备Ti/Au(3nm/20nm)优质膜，使用金属辅助化学刻蚀，制备了有序的Si纳米线阵列。
关键词	Au膜金属辅助化学刻蚀 Si纳米线浸润层低成本
收录类别	CSCD
语种	中文
CSCD记录号	CSCD:5503557
引用统计
文献类型	期刊论文
条目标识符	http://ir.hfcas.ac.cn:8080/handle/334002/65782
专题	中国科学院合肥物质科学研究院
推荐引用方式 GB/T 7714	. 基于Au辅助化学刻蚀法实现低成本制备硅纳米线阵列[J]. 半导体光电,2015,36.
APA	(2015).基于Au辅助化学刻蚀法实现低成本制备硅纳米线阵列.半导体光电,36.
MLA	"基于Au辅助化学刻蚀法实现低成本制备硅纳米线阵列".半导体光电 36(2015).