Institutional Repository of Chinese Acad Sci, Inst Solid State Phys, Hefei 230031, Anhui, Peoples R China
Thermoelectric Properties of Co-Doped TiS2 | |
J. ZHANG; X.Y. QIN; H.X. XIN; D. LI; C.J. SONG | |
2011 | |
发表期刊 | Journal of ELECTRONIC MATERIALS |
WOS记录号 | WOS:000289901700093 |
引用统计 | |
文献类型 | 期刊论文 |
条目标识符 | http://ir.hfcas.ac.cn:8080/handle/334002/6687 |
专题 | 中科院固体物理研究所 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | J. ZHANG,X.Y. QIN,H.X. XIN,et al. Thermoelectric Properties of Co-Doped TiS2[J]. Journal of ELECTRONIC MATERIALS,2011. |
APA | J. ZHANG,X.Y. QIN,H.X. XIN,D. LI,&C.J. SONG.(2011).Thermoelectric Properties of Co-Doped TiS2.Journal of ELECTRONIC MATERIALS. |
MLA | J. ZHANG,et al."Thermoelectric Properties of Co-Doped TiS2".Journal of ELECTRONIC MATERIALS (2011). |
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