Institutional Repository of Chinese Acad Sci, Inst Solid State Phys, Hefei 230031, Anhui, Peoples R China
采用铟束流保护下的调制中断生长技术改善(0001)GaN表面形貌 | |
钟飞; 邱凯; 李新化; 尹志军; 姬长建; 韩奇峰; 曹先存; 陈家荣; 段钺宏; 周秀菊; 王玉琦 | |
2007 | |
发表期刊 | 半导体学报 |
合作性质 | 其它 |
学科领域 | 纳米材料与技术 |
收录类别 | 其他 |
文献类型 | 期刊论文 |
条目标识符 | http://ir.hfcas.ac.cn:8080/handle/334002/750 |
专题 | 中科院固体物理研究所 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 钟飞,邱凯,李新化,等. 采用铟束流保护下的调制中断生长技术改善(0001)GaN表面形貌[J]. 半导体学报,2007(8). |
APA | 钟飞.,邱凯.,李新化.,尹志军.,姬长建.,...&王玉琦.(2007).采用铟束流保护下的调制中断生长技术改善(0001)GaN表面形貌.半导体学报(8). |
MLA | 钟飞,et al."采用铟束流保护下的调制中断生长技术改善(0001)GaN表面形貌".半导体学报 .8(2007). |
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