中科院固体物理研究所知识库

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	采用铟束流保护下的调制中断生长技术改善(0001)GaN表面形貌
	钟飞; 邱凯; 李新化; 尹志军; 姬长建; 韩奇峰; 曹先存; 陈家荣; 段钺宏; 周秀菊; 王玉琦
	2007
发表期刊	半导体学报
合作性质	其它
学科领域	纳米材料与技术
收录类别	其他
文献类型	期刊论文
条目标识符	http://ir.hfcas.ac.cn:8080/handle/334002/750
专题	中科院固体物理研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	钟飞,邱凯,李新化,等. 采用铟束流保护下的调制中断生长技术改善(0001)GaN表面形貌[J]. 半导体学报,2007(8).
APA	钟飞.,邱凯.,李新化.,尹志军.,姬长建.,...&王玉琦.(2007).采用铟束流保护下的调制中断生长技术改善(0001)GaN表面形貌.半导体学报(8).
MLA	钟飞,et al."采用铟束流保护下的调制中断生长技术改善(0001)GaN表面形貌".半导体学报 .8(2007).

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