Institutional Repository of Chinese Acad Sci, Inst Solid State Phys， Hefei 230031, Anhui, Peoples R China
| 退火温度对硅基溅射铜膜应力的影响 | |
| 吴桂芳; 史守华; 何玉平; 王 磊; 陈 良; 孙兆奇 | |
| 2002 | |
| 发表期刊 | 真 空 科 学 与 技 术
 |
| 学科领域 | 新型功能材料与固体内耗 |
| 文献类型 | 期刊论文 |
| 条目标识符 | http://ir.hfcas.ac.cn:8080/handle/334002/8130 |
| 专题 | 中科院固体物理研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 吴桂芳,史守华,何玉平,等. 退火温度对硅基溅射铜膜应力的影响[J]. 真 空 科 学 与 技 术,2002. |
| APA | 吴桂芳,史守华,何玉平,王 磊,陈 良,&孙兆奇.(2002).退火温度对硅基溅射铜膜应力的影响.真 空 科 学 与 技 术. |
| MLA | 吴桂芳,et al."退火温度对硅基溅射铜膜应力的影响".真 空 科 学 与 技 术 (2002). |
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