Institutional Repository of Chinese Acad Sci, Inst Solid State Phys， Hefei 230031, Anhui, Peoples R China
| 一种半导体氧化物原位负载贵金属团簇的制备方法 | |
梁长浩 ; 吴守良; 刘俊
| |
| 专利权人 | 中国科学院合肥物质研究院 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明专利 |
| 专利号 | cn105879867a |
| 语种 | 中文 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.hfcas.ac.cn:8080/handle/334002/92901 |
| 专题 | 中科院固体物理研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 梁长浩,吴守良,刘俊. 一种半导体氧化物原位负载贵金属团簇的制备方法. cn105879867a. |
| 条目包含的文件 | 下载所有文件 | |||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| 一种半导体氧化物原位负载贵金属团簇的制备（709KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 浏览 下载 | ||
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