Zintl相热电材料纳米晶（Mg0.97X0.03）3Sb2的低温电输运性能

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	Zintl相热电材料纳米晶（Mg0.97X0.03）3Sb2的低温电输运性能
其他题名	Electrical Transport Properties of Nanocrystalline Zintl Phase（Mg0.97X0.03）3Sb2 as Thermoelectric Materials
	辛红星1 ; 秦晓英1 ; 张宽心 1; 宋春军1 ; 张建1 ; 朱晓光1
	2010
发表期刊	材料科学与工程学报
ISSN	1673-2812
摘要	采用机械合金化结合热压的方法,制备了纳米晶（Mg0.97X0.03）3Sb2（X=Mg、Cr、Cu、Ti）,进行了微结构表征和电阻率测量。结果表明其平均晶粒尺寸不超过40nm。（Mg0.97X0.03）3Sb2晶体结构四面体位置的Mg-Sb结合距离变短,共价性增强。室温电阻从543Ωcm（Mg3Sb2）下降到137Ωcm（（Mg0.97Cr0.03）3Sb2）、121Ωcm（（Mg0.97Ti0.03）3Sb2）、109Ωcm（（Mg0.97Cu0.03）3Sb2）。替代样品的电阻在低温时为变程跳跃电导。电阻率的降低是由于替代形成的晶格中化学环境变化,原子间结合强度增加所致。
其他摘要	Mechanical alloying plus hot-pressing was employed to prepare nanocrystalline（Mg 0.97 X 0.03）3Sb2（X=Mg、Cr、Cu、Ti）compounds which were characterized by microstructural examinations and DC electrical resistance measurements.The results indicated that mean grain size of（Mg 0.97 X 0.03）3Sb2 compounds is smaller than 40nm.The distance between Mg-Sb of the tetrahedral positions decreases and the strength of covalent bond increases in the lattice of（Mg 0.97 X 0.03）3Sb2.It can be seen that the resistivity of nano-（Mg 0.97 X 0.03）3Sb2 decreases from 543Ωcm（Mg3Sb2）to 137Ωcm（（Mg 0.97 Cr 0.03）3Sb2）、121Ωcm（（Mg 0.97 Ti 0.03）3Sb2）、109Ωcm（（Mg 0.97 Cu 0.03）3Sb2）at 300K.Variable range hopping conduction happens at low temperature for the substituted samples.The decreasing of electrical resistivity is due to the changed chemical surrounding and the enhanced bond strength in the lattice of the substituted samples.
关键词	机械合金化纳米晶替代电阻率变程跳跃电导
收录类别	CSCD
语种	中文
CSCD记录号	CSCD:3873901
引用统计
文献类型	期刊论文
条目标识符	http://ir.hfcas.ac.cn:8080/handle/334002/95292
专题	中国科学院合肥物质科学研究院
作者单位	1.中科院固体物理研究所 2.中科院固体物理研究所 3.中科院固体物理研究所 4.中科院固体物理研究所 5.中科院固体物理研究所 6.中科院固体物理研究所
第一作者单位	中科院固体物理研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	辛红星,秦晓英,张宽心,等. Zintl相热电材料纳米晶（Mg0.97X0.03）3Sb2的低温电输运性能[J]. 材料科学与工程学报,2010,000.
APA	辛红星,秦晓英,张宽心,宋春军,张建,&朱晓光.(2010).Zintl相热电材料纳米晶（Mg0.97X0.03）3Sb2的低温电输运性能.材料科学与工程学报,000.
MLA	辛红星,et al."Zintl相热电材料纳米晶（Mg0.97X0.03）3Sb2的低温电输运性能".材料科学与工程学报 000(2010).