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N^+注入对甘草幼苗部分耐旱特征效应的研究 | |
其他题名 | Studies on effect of N+ ion beam implantation on some drought tolerant characteristics of liquorice seedlings (Glycyrrhiza uralensis Fisch) |
魏胜林1; 张祥胜1 | |
2004 | |
发表期刊 | 核技术 |
ISSN | 0253-3219 |
摘要 | 植物幼苗主根、侧根及下胚轴的生长和根冠比值的大小是幼苗耐旱的重要特征。对甘草干种子注入能量为25kcV、注量为600×2.6×10^13-3600×2.6×10^13/cm^2的N^+,其中1800×2.6×10^13/cm^2的N^+注入量能有效提高甘草6d幼苗的主根生长和30d幼苗根冠比干重和鲜重,促进侧根发生;也能明显刺激6d和30d幼苗的下胚轴和主根、茎高的生长。该参数可以作为沙漠化地区建立甘草植被发挥离子束注入当代效应的N^+辐照的能量、注量的参考参数。在实验注入N^+的参数范围内甘草幼苗耐旱特征的应答也表现出“损伤一修复一损伤”效应。 |
关键词 | N注入 甘草 根发育 耐旱特征 |
收录类别 | CSCD |
语种 | 中文 |
CSCD记录号 | CSCD:1674474 |
引用统计 | |
文献类型 | 期刊论文 |
条目标识符 | http://ir.hfcas.ac.cn:8080/handle/334002/96839 |
专题 | 中国科学院合肥物质科学研究院 |
作者单位 | 1.中国科学院等离子体物理研究所 2.中国科学院等离子体物理研究所 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 魏胜林,张祥胜. N^+注入对甘草幼苗部分耐旱特征效应的研究[J]. 核技术,2004,027. |
APA | 魏胜林,&张祥胜.(2004).N^+注入对甘草幼苗部分耐旱特征效应的研究.核技术,027. |
MLA | 魏胜林,et al."N^+注入对甘草幼苗部分耐旱特征效应的研究".核技术 027(2004). |
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