Knowledge Management System of Hefei Institute of Physical Science，CAS
| 低覆盖度的Au／GaN（0001）界面的同步辐射研究 | |
| 邹崇文1; 孙柏1; 王国栋1; 张文华1; 徐彭寿1; 潘海斌1; 徐法强1; 尹志军1; 邱凯1 | |
| 2005 | |
| 发表期刊 | 物理学报
 |
| ISSN | 1000-3290 |
| 摘要 | 利用同步辐射光电子能谱研究了低覆盖度Au在GaN(0001)表面的初始生长模式，肖特基势垒高度以及界面的电子结构．结果表明，Au沉积初始阶段有界面的化学反应，随后呈三维岛状生长．由光电子能谱实验确定的肖特基势垒高度为1．4eV．通过对界面价带谱和Au 4f芯能级谱的分析，确定了界面化学反应的存在．利用线性缀加平面波方法计算了GaN(0001)和Au的价带态密度并分析了化学反应产生的机理，认为在初始阶段界面形成了Au—Ga合金． |
| 关键词 | 覆盖度 Au 同步辐射光电子能谱 化学反应 势垒高度 初始阶段 生长模式 电子结构 实验确定 界面形成 肖特基 态密度 平面波 价带 表面 能级 Ga |
| 收录类别 | CSCD |
| 语种 | 中文 |
| CSCD记录号 | CSCD:2207163 |
| 引用统计 | |
| 文献类型 | 期刊论文 |
| 条目标识符 | http://ir.hfcas.ac.cn:8080/handle/334002/97395 |
| 专题 | 中国科学院合肥物质科学研究院 |
| 作者单位 | 1.中国科学技术大学 2.中国科学技术大学 3.中国科学技术大学 4.中国科学技术大学 5.中国科学技术大学 6.中国科学技术大学 7.中国科学技术大学 8.中国科学院固体物理研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 邹崇文,孙柏,王国栋,等. 低覆盖度的Au／GaN（0001）界面的同步辐射研究[J]. 物理学报,2005,054. |
| APA | 邹崇文.,孙柏.,王国栋.,张文华.,徐彭寿.,...&邱凯.(2005).低覆盖度的Au／GaN（0001）界面的同步辐射研究.物理学报,054. |
| MLA | 邹崇文,et al."低覆盖度的Au／GaN（0001）界面的同步辐射研究".物理学报 054(2005). |
| 条目包含的文件 | 条目无相关文件。 | |||||
| 个性服务 |
| 推荐该条目 |
| 保存到收藏夹 |
| 查看访问统计 |
| 导出为Endnote文件 |
| 谷歌学术 |
| 谷歌学术中相似的文章 |
| [邹崇文]的文章 |
| [孙柏]的文章 |
| [王国栋]的文章 |
| 百度学术 |
| 百度学术中相似的文章 |
| [邹崇文]的文章 |
| [孙柏]的文章 |
| [王国栋]的文章 |
| 必应学术 |
| 必应学术中相似的文章 |
| [邹崇文]的文章 |
| [孙柏]的文章 |
| [王国栋]的文章 |
| 相关权益政策 |
| 暂无数据 |
| 收藏/分享 |
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。
修改评论