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实时测量高温熔体法生长晶体固/液界面层结构的方法和高温热台; 实时测量高温熔体法生长晶体固/液界面层结构的方法和高温热台; 实时测量高温熔体法生长晶体固/液界面层结构的方法和高温热台; 实时测量高温熔体法生长晶体固/液界面层结构的方法和高温热台; 实时测量高温熔体法生长晶体固/液界面层结构的方法和高温热台; 实时测量高温熔体法生长晶体固/液界面层结构的方法和高温热台; 实时测量高温熔体法生长晶体固/液界面层结构的方法和高温热台; 实时测量高温熔体法生长晶体固/液界面层结构的方法和高温热台
殷绍唐; 王爱华; 仇怀利; 刘晓静; 许国志
2003
专利权人中国科学院安徽光学精密机械研究所
公开日期2013-01-16
授权国家中国
专利类型发明
申请日期2001
专利号1388368
申请号01113657.X
文献类型专利
条目标识符http://ir.hfcas.ac.cn:8080/handle/334002/9929
专题中科院安徽光学精密机械研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
殷绍唐,王爱华,仇怀利,等. 实时测量高温熔体法生长晶体固/液界面层结构的方法和高温热台, 实时测量高温熔体法生长晶体固/液界面层结构的方法和高温热台, 实时测量高温熔体法生长晶体固/液界面层结构的方法和高温热台, 实时测量高温熔体法生长晶体固/液界面层结构的方法和高温热台, 实时测量高温熔体法生长晶体固/液界面层结构的方法和高温热台, 实时测量高温熔体法生长晶体固/液界面层结构的方法和高温热台, 实时测量高温熔体法生长晶体固/液界面层结构的方法和高温热台, 实时测量高温熔体法生长晶体固/液界面层结构的方法和高温热台. 1388368[P]. 2003-01-01.
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