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Nitrogen-concentration modulated interfacial and electrical properties of sputtering-derived HfGdON gate dielectric 期刊论文
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2016, 卷号: 119, 期号: 21, 页码: 1-5
作者:  Ma, Rui;  Liu, Mao;  He, Gang;  Fang, Ming;  Shang, Guoliang;  Fei, Guangtao;  Zhang, Lide
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