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Interface chemistry and electronic structure of ALD-derived HfAlO/Ge gate stacks revealed by X-ray photoelectron spectroscopy 期刊论文
JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2017, 卷号: 716, 期号: 无, 页码: 1-6
作者:  He, Gang;  Jiang, Shanshan;  Li, Wendong;  Zheng, Changyong;  He, Huaxin;  Li, Jing;  Sun, Zhaoqi;  Liu, Yanmei;  Liu, Mao
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High-k Gate Dielectric  Atomic-layer-deposition  Interface Stability  Phase Separation  Annealing Temperature  
Modulation of interfacial and electrical properties of HfGdO/GaAs gate stacks by ammonium sulfide passivation and rapid thermal annealing 期刊论文
JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2017, 卷号: 704, 期号: 无, 页码: 322-328
作者:  Jiang, S. S.;  He, G.;  Liang, S.;  Zhu, L.;  Li, W. D.;  Zheng, C. Y.;  Lv, J. G.;  Liu, M.
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High-k Gate Dielectrics  Interface Chemistry  Xps Electrical Properties  Cmos Devices  
Interfacial modulation and electrical properties improvement of solution-processed ZrO2 gate dielectrics upon Gd incorporation 期刊论文
JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2017, 卷号: 699, 期号: 无, 页码: 415-420
作者:  Xiao, D. Q.;  He, G.;  Lv, J. G.;  Wang, P. H.;  Liu, M.;  Gao, J.;  Jin, P.;  Jiang, S. S.;  Li, W. D.;  Sun, Z. Q.
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High-k Gate Dielectrics  Gd Incorporation  Xps  Electrical Properties  Sol-gel