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| Effect of double AlN buffer layer on the qualities of GaN films grown by radio-frequency molecular beam epitaxy 期刊论文
Chinese Physics B, 2008, 期号: 17
作者: Li Xin-Hua; Zhong Fei; Qiu Kai
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| Effect of III/V Ratio of HT-AlN Buffer Layer on Polarity Selection and Electrical Quality of GaN Films Grown by Radio Frequency Molecular Beam Epitaxy 期刊论文
Chinese Phys. Lett., 2007, 期号: 24
作者: ZHONG Fei; QIU Kai; LI XinHua
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| GaN layers with different polarities prepared by radio frequency molecular beam epitaxy and characterized by Raman scattering 期刊论文
Chinese Phys., 2007, 期号: 16
作者: Zhong Fei; Li Xin-Hua; Qiu Kai
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| Effect of Reactor Pressure on Qualities of GaN Layers Grown by Hydride Vapour Phase Epitaxy 期刊论文
Chinese Phys. Lett., 2007, 期号: 24
作者: QIU Kai; YIN Zhi-Jun; LI Xin-Hua
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| Properties of GaN on different polarity buffer layers by hydride vapour phase epitaxy 期刊论文
Chinese Phys., 2007, 卷号: 16, 期号: 16
作者: Qiu Kai; Zhong Fe; Li Xin-Hu; Yin Zhi-Jun
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GaN HVPE MBE polarity |
| 一种高催化活性分等级结构钼酸银的制备方法 专利
专利类型: 发明专利, 专利号: cn105771988a,
发明人: 代凯; 王中辽; 吕佳丽; 梁长浩 ; 朱光平; 李栋佩
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| 一种大面积二维复合纳米材料的合成方法 专利
专利类型: 发明专利, 专利号: cn105854921a,
发明人: 代凯; 吕佳丽; 梁长浩; 李栋佩; 王中辽; 李真
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