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金纳米颗粒-银纳米半球阵列及其制备方法和用途 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN 103447523 A, 申请日期: 2013-01-01,
发明人:  唐海宾;  孟国文;  李中波;  朱储红;  黄竹林;  张倬
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Structure and band gap tuning of transparent (Ba1-xSrx)SnO3 thin films epitaxially grown on MgO substrates 期刊论文
EPL, 2012, 卷号: 98, 期号: 4
作者:  Liu, QZ;  Li, B;  Liu, JJ;  Li, H;  Liu, ZL;  Dai, K;  Zhu, GP;  Zhang, P;  Chen, F;  Dai, JM
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