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欧姆接触的研究和 AlGaN/GaN 高电子迁移率晶体管的制作 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2008
作者:  周秀菊
Adobe PDF(1828Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：10/2  |  提交时间：2013/10/09
采用铟束流保护下的调制中断生长技术改善(0001)GaN表面形貌 期刊论文
半导体学报, 2007, 期号: 8
作者:  钟飞;  邱凯;  李新化;  尹志军;  姬长建;  韩奇峰;  曹先存;  陈家荣;  段钺宏;  周秀菊;  王玉琦
Adobe PDF(233Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：491/168  |  提交时间：2009/10/20
采用铟束流保护下的调制中断生长技术改善（0001）GaN表面形貌 期刊论文
半导体学报, 2007, 卷号: 028
作者:  钟飞;  邱凯;  李新化;  尹志军;  姬长建;  韩奇峰;  曹先存;  陈家荣;  段钺宏;  周秀菊;  王玉琦
收藏  |  浏览/下载：60/0  |  提交时间：2020/11/25
调制中断  表面形貌  GaN薄膜