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| 超薄 GaMnAs 外延膜空穴浓度和应变弛豫研究 期刊论文
物理学报, 2011
作者: 苏 平; 龚 敏; 马 瑶; 高 博; 石瑞英; 陈 昶; 史同飞 ; 曹先存; 孟祥豪; 罗代升
 Adobe PDF(316Kb) |  收藏 | 浏览/下载：368/144 | 提交时间：2012/10/09 |
| GaMnAs薄膜制备及GaMnAs/NPB异质结物理性质研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2009
作者: 曹先存
 Adobe PDF(2573Kb) | 收藏 | 浏览/下载：12/2 | 提交时间：2013/10/14 |
| 杂质与缺陷对GaMnAs光学特性影响的研究 期刊论文
光散射学报, 2009, 卷号: 021
作者: 钟玉杰; 程顺昌; 苏平; 龚敏; 石瑞英; 曹先存; 史同飞
收藏 | 浏览/下载：54/0 | 提交时间：2020/11/25
GaMnAs缺陷 红外光谱 光电导 |
| 杂质与缺陷对GaMnAs光学特性影响的研究 期刊论文
光散射学报, 2009, 卷号: 021
作者: 钟玉杰; 程顺昌; 苏平; 龚敏; 石瑞英; 曹先存; 史同飞
收藏 | 浏览/下载：49/0 | 提交时间：2020/11/25
GaMnAs缺陷 红外光谱 光电导 |
| 超高真空磁控溅射矩形平面溅射靶 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN101311300, 申请日期: 2008-01-01, 公开日期: 2009-11-10, 2009-11-10
发明人: 邱凯; 韩奇峰; 姬长建; 曹先存; 段铖宏; 尹志军; 李新化; 王玉琦
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| 采用铟束流保护下的调制中断生长技术改善(0001)GaN表面形貌 期刊论文
半导体学报, 2007, 期号: 8
作者: 钟飞; 邱凯; 李新化; 尹志军; 姬长建; 韩奇峰; 曹先存; 陈家荣; 段钺宏; 周秀菊; 王玉琦
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| 采用铟束流保护下的调制中断生长技术改善（0001）GaN表面形貌 期刊论文
半导体学报, 2007, 卷号: 028
作者: 钟飞; 邱凯; 李新化; 尹志军; 姬长建; 韩奇峰; 曹先存; 陈家荣; 段钺宏; 周秀菊; 王玉琦
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调制中断 表面形貌 GaN薄膜 |
