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Annealing Temperature Dependent Electrical Properties and Leakage Current Transport Mechanisms in Atomic Layer Deposition-Derived Al2O3-Incorporated HfO2/Si Gate Stack 期刊论文
JOURNAL OF NANOSCIENCE AND NANOTECHNOLOGY, 2016, 卷号: 16, 期号: 8, 页码: 8075-8082
作者:  Gao, Juan;  He, Gang;  Zhang, Jiwen;  Chen, Xuefei;  Jin, Peng;  Xiao, Dongqi;  Liu, Mao;  Ma, Rui;  Sun, Zhaoqi
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High-k Gate Dielectric  Atomic Layer Deposition  Electrical Properties  Leakage Current Mechanism  
Modification of electrical properties and carrier transportation mechanism of ALD-derived HfO2/Si gate stacks by Al2O3 incorporation 期刊论文
JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2016, 卷号: 667, 期号: 无, 页码: 352-358
作者:  Gao, Juan;  He, Gang;  Sun, Zhaoqi;  Chen, Hanshuang;  Zheng, Changyong;  Jin, Peng;  Xiao, Dongqi;  Liu, Mao
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High-k Gate Dielectric  Atomic-layer-deposition  Electrical Properties  Carrier Transportation Mechanism  Incorporation  
Microstructure, optical, electrical properties, and leakage current transport mechanism of sol-gel-processed high-k HfO2 gate dielectrics 期刊论文
CERAMICS INTERNATIONAL, 2016, 卷号: 42, 期号: 6, 页码: 6761-6769
作者:  Jin, Peng;  He, Gang;  Xiao, Dongqi;  Gao, Juan;  Liu, Mao;  Lv, Jianguo;  Liu, Yanmei;  Zhang, Miao;  Wang, Peihong;  Sun, Zhaoqi
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High-k Gate Dielectrics  Sol-gel  Electrical Properties  Leakage Current Transport Mechanism  Optical Properties  
大气偏振模式检测装置及其检测方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: cn1971246, 申请日期: 2007-01-01, 公开日期: 2009-11-10, 2009-11-10
发明人:  高隽;  范之国;  魏靖敏;  钱乐乐
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基于视觉统计概率模型的目标定位 期刊论文
中国图象图形学报, 2007, 卷号: 012
作者:  谢昭;  高隽
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视觉概率模型  区域分割  边缘检测  尺度  
彩色空间及空间上的彩色图像边缘检测 期刊论文
仪器仪表学报, 2006, 期号: 6(增刊)
作者:  计润生;  高隽;  范之国;  郑飞;  孔斌
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