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氮化镓厚膜的 HVPE 制备及相关问题的研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2008
作者:  段铖宏
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Polarity Analysis of Self-Seeded Aluminum Nitride Crystals Grown by Sublimation 期刊论文
Journal of ELECTRONIC MATERIALS,, 2008, 期号: 37
作者:  QIFENG HAN;  CHENGHONG DUAN;  CHANGJIAN JI;  KAI QIU
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超高真空磁控溅射矩形平面溅射靶 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN101311300, 申请日期: 2008-01-01, 公开日期: 2009-11-10, 2009-11-10
发明人:  邱凯;  韩奇峰;  姬长建;  曹先存;  段铖宏;  尹志军;  李新化;  王玉琦
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原位退火对HVPE生长的GaN外延层光学性质和结构的影响 期刊论文
半导体学报, 2008, 卷号: 029
作者:  Duan Chenghong;  Qiu Kai;  Li Xinhua;  Zhong Fei;  Yin Zhijun;  Han Qifeng;  Wang Yuqi
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GaN  原位退火  氢化物气相外延