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中国科学院合肥物质科学研究院机构知识库
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A Phase 2 Study of Befotertinib in Patients with EGFR T790M Mutated NSCLC after Prior EGFR TKIs
期刊论文
JOURNAL OF THORACIC ONCOLOGY, 2022, 卷号: 17
作者:
Lu, S.
;
Zhang, Y.
;
Zhang, G.
;
Zhou, J.
;
Cang, S.
;
Cheng, Y.
;
Wu, G.
;
Cao, P.
;
Lv, D.
;
Jian, H.
;
Chen, C.
;
Jin, X.
;
Tian, P.
;
Wang, K.
;
Jiang, G.
;
Chen, G.
;
Chen, Q.
;
Zhao, H.
;
Ding, C.
;
Guo, R.
;
Sun, G.
;
Wang, B.
;
Jiang, L.
;
Liu, Z.
;
Fang, J.
;
Yang, J.
;
Zhuang, W.
;
Liu, Y.
;
Zhang, J.
;
Pan, Y.
;
Chen, J.
;
Yu, Q.
;
Zhao, M.
;
Cui, J.
;
Li, D.
;
Yi, T.
;
Yu, Z.
;
Yang, Y.
;
Zhang, Y.
;
Zhi, X.
;
Huang, Y.
;
Wu, R.
;
Chen, L.
;
Zang, A.
;
Cao, L.
;
Li, Q.
;
Li, X.
;
Song, Y.
;
Wang, D.
;
Zhang, S.
收藏
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浏览/下载:49/0
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提交时间:2022/12/23
third-generation EGFR-TKI
befotertinib
T790M
Characterization of pedestal burst instabilities during I-mode to H-mode transition in the EAST tokamak
期刊论文
NUCLEAR FUSION, 2022, 卷号: 62
作者:
Zhong, X. M.
;
Zou, X. L.
;
Liu, A. D.
;
Song, Y. T.
;
Zhuang, G.
;
Li, E. Z.
;
Zhang, B.
;
Zhang, J.
;
Zhou, C.
;
Feng, X.
;
Duan, Y. M.
;
Ding, R.
;
Liu, H. Q.
;
Lv, B.
;
Wang, L.
;
Xu, L. Q.
;
Zhang, L.
;
Zhao, H. L.
;
Zang, Q.
;
Zhang, T.
;
Ding, B. J.
;
Li, M. H.
;
Qin, C. M.
;
Wang, X. J.
;
Zhang, X. J.
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浏览/下载:57/0
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提交时间:2022/05/16
I-mode
I-H transition
pedestal burst instabilities
density gradient
Stacking effects on the structure and magnetic properties of MoN2
期刊论文
EPL, 2021, 卷号: 135
作者:
Liang, X.
;
Lv, H. Y.
;
Si, J. G.
;
Hong, Y. T.
;
Lu, W. J.
;
Sun, Y. P.
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浏览/下载:59/0
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提交时间:2022/01/10
Chiral charge density waves induced by Ti-doping in 1T-TaS2
期刊论文
APPLIED PHYSICS LETTERS, 2021, 卷号: 118
作者:
Gao, J. J.
;
Zhang, W. H.
;
Si, J. G.
;
Luo, X.
;
Yan, J.
;
Jiang, Z. Z.
;
Wang, W.
;
Lv, H. Y.
;
Tong, P.
;
Song, W. H.
;
Zhu, X. B.
;
Lu, W. J.
;
Yin, Y.
;
Sun, Y. P.
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浏览/下载:56/0
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提交时间:2021/09/06
Experimental identification of edge temperature ring oscillation and alternating turbulence transitions near the pedestal top for sustaining stationary I-mode
期刊论文
NUCLEAR FUSION, 2020, 卷号: 60
作者:
Liu, A. D.
;
Zou, X. L.
;
Han, M. K.
;
Wang, T. B.
;
Zhou, C.
;
Wang, M. Y.
;
Duan, Y. M.
;
Verdoolaege, G.
;
Dong, J. Q.
;
Wang, Z. X.
;
Xi, F.
;
Xie, J. L.
;
Zhuang, G.
;
Ding, W. X.
;
Zhang, S. B.
;
Liu, Y.
;
Liu, H. Q.
;
Wang, L.
;
Li, Y. Y.
;
Wang, Y. M.
;
Lv, B.
;
Hu, G. H.
;
Zhang, Q.
;
Wang, S. X.
;
Zhao, H. L.
;
Qu, C. M.
;
Liu, Z. X.
;
Liu, Z. Y.
;
Zhang, J.
;
Ji, J. X.
;
Zhong, X. M.
;
Lan, T.
;
Li, H.
;
Mao, W. Z.
;
Liu, W. D.
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提交时间:2020/11/30
I-mode
turbulence transition
pedestal top
azimuthally symmetric structure
The giant planar Hall effect and anisotropic magnetoresistance in Dirac node arcs semimetal PtSn4
期刊论文
JOURNAL OF PHYSICS-CONDENSED MATTER, 2020, 卷号: 32
作者:
Yan, J.
;
Luo, X.
;
Gao, J. J.
;
Lv, H. Y.
;
Xi, C. Y.
;
Sun, Y.
;
Lu, W. J.
;
Tong, P.
;
Sheng, Z. G.
;
Zhu, X. B.
;
Song, W. H.
;
Sun, Y. P.
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提交时间:2020/10/26
planar Hall effect
topological materials
anisotropic magnetoresistance
Origin of the multiple charge density wave order in 1T-VSe2
期刊论文
PHYSICAL REVIEW B, 2020, 卷号: 101
作者:
Si, J. G.
;
Lu, W. J.
;
Wu, H. Y.
;
Lv, H. Y.
;
Liang, X.
;
Li, Q. J.
;
Sun, Y. P.
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提交时间:2020/11/26
Planar Hall effect in the type-ll Weyl semimetal T-d-MoTe2
期刊论文
PHYSICAL REVIEW B, 2018, 卷号: 98, 期号: 4, 页码: 7
作者:
Chen, F. C.
;
Luo, X.
;
Yan, J.
;
Sun, Y.
;
Lv, H. Y.
;
Lu, W. J.
;
Xi, C. Y.
;
Tong, P.
;
Sheng, Z. G.
;
Zhu, X. B.
;
Song, W. H.
;
Sun, Y. P.
收藏
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浏览/下载:23/0
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提交时间:2019/12/20
Modulation of interfacial and electrical properties of HfGdO/GaAs gate stacks by ammonium sulfide passivation and rapid thermal annealing
期刊论文
JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2017, 卷号: 704, 期号: 无, 页码: 322-328
作者:
Jiang, S. S.
;
He, G.
;
Liang, S.
;
Zhu, L.
;
Li, W. D.
;
Zheng, C. Y.
;
Lv, J. G.
;
Liu, M.
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提交时间:2018/07/04
High-k Gate Dielectrics
Interface Chemistry
Xps Electrical Properties
Cmos Devices
Interfacial modulation and electrical properties improvement of solution-processed ZrO2 gate dielectrics upon Gd incorporation
期刊论文
JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2017, 卷号: 699, 期号: 无, 页码: 415-420
作者:
Xiao, D. Q.
;
He, G.
;
Lv, J. G.
;
Wang, P. H.
;
Liu, M.
;
Gao, J.
;
Jin, P.
;
Jiang, S. S.
;
Li, W. D.
;
Sun, Z. Q.
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提交时间:2018/07/04
High-k Gate Dielectrics
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