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| 升华法生长AlN 体单晶及其相关问题的研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2008
作者: 韩奇峰
 Adobe PDF(5662Kb) |  收藏 | 浏览/下载：27/2 | 提交时间：2013/10/08 |
| Polarity Analysis of Self-Seeded Aluminum Nitride Crystals Grown by Sublimation 期刊论文
Journal of ELECTRONIC MATERIALS,, 2008, 期号: 37
作者: QIFENG HAN; CHENGHONG DUAN; CHANGJIAN JI; KAI QIU
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| 超高真空磁控溅射矩形平面溅射靶 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN101311300, 申请日期: 2008-01-01, 公开日期: 2009-11-10, 2009-11-10
发明人: 邱凯; 韩奇峰; 姬长建; 曹先存; 段铖宏; 尹志军; 李新化; 王玉琦
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| 原位退火对HVPE生长的GaN外延层光学性质和结构的影响 期刊论文
半导体学报, 2008, 卷号: 029
作者: Duan Chenghong; Qiu Kai; Li Xinhua; Zhong Fei; Yin Zhijun; Han Qifeng; Wang Yuqi
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GaN 原位退火 氢化物气相外延 |
| 采用铟束流保护下的调制中断生长技术改善(0001)GaN表面形貌 期刊论文
半导体学报, 2007, 期号: 8
作者: 钟飞; 邱凯; 李新化; 尹志军; 姬长建; 韩奇峰; 曹先存; 陈家荣; 段钺宏; 周秀菊; 王玉琦
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| 采用铟束流保护下的调制中断生长技术改善（0001）GaN表面形貌 期刊论文
半导体学报, 2007, 卷号: 028
作者: 钟飞; 邱凯; 李新化; 尹志军; 姬长建; 韩奇峰; 曹先存; 陈家荣; 段钺宏; 周秀菊; 王玉琦
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调制中断 表面形貌 GaN薄膜 |
