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中国科学院合肥物质科学研究院机构知识库
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研究单元&专题
中科院固体物理研究... [12]
作者
刘毛 [8]
田明亮 [1]
张晖 [1]
发表日期
2019 [1]
2018 [1]
2017 [1]
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2014 [1]
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Hydrothermal synthesis of MoS2 nanosheet loaded TiO2 nanoarrays for enhanced visible light photocatalytic applications
期刊论文
RSC ADVANCES, 2019, 卷号: 9, 期号: 6, 页码: 3479-3485
作者:
Zhang, Miao
;
Wang, Shun
;
Li, Ziliang
;
Liu, Chunwang
;
Miao, Rui
;
He, Gang
;
Zhao, Min
;
Xue, Jun
;
Xia, Zhiyuan
;
Wang, Yongqi
;
Sun, Zhaoqi
;
Lv, Jianguo
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提交时间:2020/05/21
Interface Modulation and Optimization of Electrical Properties of HfGdO/GaAs Gate Stacks by ALD-Derived Al2O3 Passivation Layer and Forming Gas Annealing
期刊论文
ADVANCED ELECTRONIC MATERIALS, 2018, 卷号: 4, 期号: 4, 页码: 9
作者:
Jiang, Shanshan
;
He, Gang
;
Liu, Mao
;
Zhu, Li
;
Liang, Shuang
;
Li, Wendong
;
Sun, Zhaoqi
;
Tian, Mingliang
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提交时间:2019/06/10
electrical properties
forming gas annealing
high-k gate dielectrics
interface chemistry
metal-oxide-semiconductor capacitors
Interface chemistry and electronic structure of ALD-derived HfAlO/Ge gate stacks revealed by X-ray photoelectron spectroscopy
期刊论文
JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2017, 卷号: 716, 期号: 无, 页码: 1-6
作者:
He, Gang
;
Jiang, Shanshan
;
Li, Wendong
;
Zheng, Changyong
;
He, Huaxin
;
Li, Jing
;
Sun, Zhaoqi
;
Liu, Yanmei
;
Liu, Mao
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提交时间:2018/05/25
High-k Gate Dielectric
Atomic-layer-deposition
Interface Stability
Phase Separation
Annealing Temperature
Annealing Temperature Dependent Electrical Properties and Leakage Current Transport Mechanisms in Atomic Layer Deposition-Derived Al2O3-Incorporated HfO2/Si Gate Stack
期刊论文
JOURNAL OF NANOSCIENCE AND NANOTECHNOLOGY, 2016, 卷号: 16, 期号: 8, 页码: 8075-8082
作者:
Gao, Juan
;
He, Gang
;
Zhang, Jiwen
;
Chen, Xuefei
;
Jin, Peng
;
Xiao, Dongqi
;
Liu, Mao
;
Ma, Rui
;
Sun, Zhaoqi
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提交时间:2017/11/21
High-k Gate Dielectric
Atomic Layer Deposition
Electrical Properties
Leakage Current Mechanism
Modification of electrical properties and carrier transportation mechanism of ALD-derived HfO2/Si gate stacks by Al2O3 incorporation
期刊论文
JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2016, 卷号: 667, 期号: 无, 页码: 352-358
作者:
Gao, Juan
;
He, Gang
;
Sun, Zhaoqi
;
Chen, Hanshuang
;
Zheng, Changyong
;
Jin, Peng
;
Xiao, Dongqi
;
Liu, Mao
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提交时间:2017/10/18
High-k Gate Dielectric
Atomic-layer-deposition
Electrical Properties
Carrier Transportation Mechanism
Incorporation
Microstructure, optical, electrical properties, and leakage current transport mechanism of sol-gel-processed high-k HfO2 gate dielectrics
期刊论文
CERAMICS INTERNATIONAL, 2016, 卷号: 42, 期号: 6, 页码: 6761-6769
作者:
Jin, Peng
;
He, Gang
;
Xiao, Dongqi
;
Gao, Juan
;
Liu, Mao
;
Lv, Jianguo
;
Liu, Yanmei
;
Zhang, Miao
;
Wang, Peihong
;
Sun, Zhaoqi
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提交时间:2017/10/18
High-k Gate Dielectrics
Sol-gel
Electrical Properties
Leakage Current Transport Mechanism
Optical Properties
Evolution of interface chemistry and dielectric properties of HfO2/Ge gate stack modulated by Gd incorporation and thermal annealing
期刊论文
AIP ADVANCES, 2016, 卷号: 6, 期号: 2, 页码: 1-7
作者:
He, Gang
;
Zhang, Jiwen
;
Sun, Zhaoqi
;
Lv, Jianguo
;
Chen, Hanshuang
;
Liu, Mao
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提交时间:2017/09/15
Microstructure, optical and electrical properties of solution-derived peroxo-zirconium oxide gate dielectrics for CMOS application
期刊论文
CERAMICS INTERNATIONAL, 2016, 卷号: 42, 期号: 1, 页码: 759-766
作者:
Dongqi Xiao
;
Gang He
;
Zhaoqi Sun
;
Jianguo Lv
;
Peng Jin
;
Changyong Zheng
;
Mao Liu
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提交时间:2017/10/18
Interface control and modification of band alignment and electrical properties of HfTiO/GaAs gate stacks by nitrogen incorporation
期刊论文
J. Mater. Chem. C, 2014, 卷号: 2, 期号: 27, 页码: 5299-5308
作者:
Gang He
;
Jiangwei Liu
;
Hanshuang Chen
;
Yanmei Liu
;
Zhaoqi Sun
;
Xiaoshuang Chen
;
Mao Liu
;
Lide Zhang
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提交时间:2016/07/12
Magnetic field-assisted synthesis of wire-like Co3O4 nanostructures: Electrochemical and photocatalytic studies
期刊论文
Materials Research Bulletin, 2013, 卷号: 48
作者:
Xiubin Zhao
;
Zhanwen Pang
;
Mingzai Wu
;
Xiansong Liu
;
Hui Zhang
;
Yongqing Ma
;
Zhaoqi Sun
;
Lide Zhang
;
Xiaoshuang Chen
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提交时间:2013/09/02