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Strain effects on the behavior of intrinsic point defects within the GaN/AlN interface 期刊论文
INTERNATIONAL JOURNAL OF MODERN PHYSICS C, 2022
作者:  Yang, Yuming;  Zhang, Xuemei;  Liu, Jun;  Zhang, Chuanguo;  Li, Yonggang;  Zeng, Zhi;  Zhang, Yongsheng
收藏  |  浏览/下载：33/0  |  提交时间：2022/12/23
GaN  AlN interface  strain effects  intrinsic point defects  first-principles calculations  diffusion barrier  
Partially Crystallized Ultrathin Interfaces between GaN and SiNx Grown by Low-Pressure Chemical Vapor Deposition and Interface Editing 期刊论文
ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES, 2021, 卷号: 13
作者:  Wang, Xinhua;  Zhang, Yange;  Huang, Sen;  Yin, Haibo;  Fan, Jie;  Wei, Ke;  Zheng, Yingkui;  Wang, Wenwu;  Jiang, Haojie;  Wu, Xuebang;  Wang, Xianping;  Liu, Changsong;  Liu, Xinyu
收藏  |  浏览/下载：54/0  |  提交时间：2021/04/26
GaN  first-principles  formation mechanism of crystallized Si2N2O  interface editing  LPCVD-SiNx  near-conduction band states  
Improvement of GaN plasma etching uniformity by optimizing the coil electrode with plasma simulation and experimental validation 期刊论文
SURFACE & COATINGS TECHNOLOGY, 2020, 卷号: 400
作者:  Xiao, Dezhi;  Ruan, Qingdong;  Liu, Liangliang;  Shen, Jie;  Cheng, Cheng;  Chu, Paul K.
收藏  |  浏览/下载：50/0  |  提交时间：2020/11/26
GaN  Plasma etching  Inductively-coupled plasma  Field coupling  Uniformity  Plasma simulation  
Polarity Control within One Monolayer at ZnO/GaN Heterointerface: (0001) Plane Inversion Domain Boundary 期刊论文
ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES, 2018, 卷号: 10, 期号: 43, 页码: 37651-37660
作者:  Li, Siqian;  Lei, Huaping;  Wang, Yi;  Ullah, Md Barkat;  Chen, Jun;  Avrutin, Vitaliy;  Ozgur, Umit;  Morkoc, Hadis;  Ruterana, Pierre
Adobe PDF(808Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：129/41  |  提交时间：2019/01/11
ZnO/GaN heterointerface  (0001) plane IDBs  polarity control  energetic stability  2DHG  2DEG  
激光辐照GaN改善其欧姆特性的研究进展 期刊论文
量子电子学报, 2017, 卷号: 034
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收藏  |  浏览/下载：36/0  |  提交时间：2020/10/26
材料  接触电阻率  激光辐照  GaN  
原位退火对HVPE生长的GaN外延层光学性质和结构的影响 期刊论文
半导体学报, 2008, 卷号: 029
作者:  Duan Chenghong;  Qiu Kai;  Li Xinhua;  Zhong Fei;  Yin Zhijun;  Han Qifeng;  Wang Yuqi
收藏  |  浏览/下载：50/0  |  提交时间：2020/11/25
GaN  原位退火  氢化物气相外延  
Properties of GaN on different polarity buffer layers by hydride vapour phase epitaxy 期刊论文
Chinese Phys., 2007, 卷号: 16, 期号: 16
作者:  Qiu Kai;  Zhong Fe;  Li Xin-Hu;  Yin Zhi-Jun
Adobe PDF(470Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：346/132  |  提交时间：2010/07/16
GaN  HVPE  MBE  polarity  
采用铟束流保护下的调制中断生长技术改善（0001）GaN表面形貌 期刊论文
半导体学报, 2007, 卷号: 028
作者:  钟飞;  邱凯;  李新化;  尹志军;  姬长建;  韩奇峰;  曹先存;  陈家荣;  段钺宏;  周秀菊;  王玉琦
收藏  |  浏览/下载：61/0  |  提交时间：2020/11/25
调制中断  表面形貌  GaN薄膜