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| Kinetic versus Thermodynamic Control over Growth Process of Electrodeposited Bi/BiSb Superlattice Nanowires 期刊论文
NANO LETTERS, 2008, 期号: 8
作者: Xincun Dou; Guanghai Li ; Hechang Lei
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| Effect of double AlN buffer layer on the qualities of GaN films grown by radio-frequency molecular beam epitaxy 期刊论文
Chinese Physics B, 2008, 期号: 17
作者: Li Xin-Hua; Zhong Fei; Qiu Kai
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| Chloride Assisted Growth of Aluminum Nitride Nanobelts and Their Enhanced Dielectric Responses 期刊论文
CHINESE JOURNAL OF CHEMICAL PHYSICS, 2008, 期号: 21
作者: Ting Xie; Min Ye; Zhi Jiang; Yong Qin
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| Effects of LaNiO3 buffer layer on the structures and properties of La0.7Sr0.3MnO3 thin films 期刊论文
Journal of Crystal Growth, 2008, 期号: 310
作者: Tao Wang; Xiaodong Fang; Weiwei Dong; Ruhua Tao
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| Magnetic properties of Mn-doped cubic silicon carbide 期刊论文
Physica B, 2007, 期号: 394
作者: S.B. Ma; Y.P. Sun; B.C. Zhao; P. Tong
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| Processing effects on the chemical solution deposition-derived La2/3Ca1/3MnO3 films on SrTiO3 (0 0 1) substrates 期刊论文
Journal of Crystal Growth, 2007, 期号: 306
作者: Ruhua Tao; Xiaodong Fanga; Weiwei Dong
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| In situ growth of c-axis-oriented La2/3Sr1/3MnO3− thin films on Si(001) 期刊论文
Solid State Communications, 2007, 期号: 141
作者: Z.G. Sheng; Y.P. Sun; X.B. Zhu; B.C. Zhao
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| 利用混合极性制备多孔缓冲层及其在GaN厚膜外延中的应用 期刊论文
半导体学报, 2007, 期号: 6
作者: 尹志军; 钟飞; 邱凯; 李新化; 王玉琦
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| Growth of GaN on Buffer Layers with Different Polarities by Hydride Vapor-Phase Epitaxy 期刊论文
Journal of ELECTRONIC MATERIALS, 2007, 期号: 36
作者: KAI QIU; X.H. LI; F. ZHONG
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| Properties of GaN on different polarity buffer layers by hydride vapour phase epitaxy 期刊论文
Chinese Phys., 2007, 卷号: 16, 期号: 16
作者: Qiu Kai; Zhong Fe; Li Xin-Hu; Yin Zhi-Jun
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GaN HVPE MBE polarity |
