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Oxygen vacancy effects in HfO2 - based resistive switching memory: First principle study 期刊论文
AIP ADVANCES, 2016, 卷号: 6, 期号: 8, 页码: 1-10
作者:  Dai, Yuehua;  Pan, Zhiyong;  Wang, Feifei;  Li, Xiaofeng
浏览  |  Adobe PDF(18271Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：109/56  |  提交时间：2017/11/21