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Spectroscopic ellipsometry characterization of nitrogen-incorporated HfO2 gate dielectrics grown by radio-frequency reactive sputtering 期刊论文
APPLIED PHYSICS LETTERS, 2005, 期号: 86
作者:  G. He;  L. D. Zhang;  G. H. Li;  M. Liu;  L. Q. Zhu;  S. S. Pan
Adobe PDF(64Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：288/129  |  提交时间：2010/08/30