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Thermal nitridation passivation dependent band offset and electrical properties of AlOxNy /GaAs gate stacks 期刊论文
APPLIED PHYSICS LETTERS, 2009, 期号: 95
作者:  G. He;  L. D. Zhang;  M. Liu
Adobe PDF(344Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：422/140  |  提交时间：2010/03/18