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中国科学院合肥物质科学研究院机构知识库
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研究单元&专题
中科院固体物理研究所 [9]
作者
高建 [9]
刘毛 [9]
张民 [3]
发表日期
2017 [4]
2016 [5]
语种
英语 [9]
出处
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作者:高建
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Interfacial modulation and electrical properties improvement of solution-processed ZrO2 gate dielectrics upon Gd incorporation
期刊论文
JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2017, 卷号: 699, 期号: 无, 页码: 415-420
作者:
Xiao, D. Q.
;
He, G.
;
Lv, J. G.
;
Wang, P. H.
;
Liu, M.
;
Gao, J.
;
Jin, P.
;
Jiang, S. S.
;
Li, W. D.
;
Sun, Z. Q.
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提交时间:2018/07/04
High-k Gate Dielectrics
Gd Incorporation
Xps
Electrical Properties
Sol-gel
Interface quality modulation, band alignment modification and optimization of electrical properties of HfGdO/Ge gate stacks by nitrogen incorporation
期刊论文
JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2017, 卷号: 695, 期号: 无, 页码: 2199-2206
作者:
Gao, J.
;
He, G.
;
Fang, Z. B.
;
Lv, J. G.
;
Liu, M.
;
Sun, Z. Q.
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提交时间:2018/07/04
High-k Gate Dielectrics
Interface Quality
Band Alignment
Electrical Properties
Leakage Current Mechanism
Annealing-temperature-modulated optical, electrical properties, and leakage current transport mechanism of sol-gel-processed high-k HfAlOX gate dielectrics
期刊论文
CERAMICS INTERNATIONAL, 2017, 卷号: 43, 期号: 3, 页码: 3101-3106
作者:
Jin, P.
;
He, G.
;
Fang, Z. B.
;
Liu, M.
;
Xiao, D. Q.
;
Gao, J.
;
Jiang, S. S.
;
Li, W. D.
;
Sun, Z. Q.
;
Zhang, M.
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提交时间:2018/07/04
High-k Hfalox Gate Dielectrics
Sol-gel
Optical Properties
Electrical Properties
Leakage Current Transport Mechanism
Modulation of interfacial and electrical properties of ALD-derived HfAlO/Al2O3/Si gate stack by annealing temperature
期刊论文
JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2017, 卷号: 691, 期号: 无, 页码: 504-513
作者:
Gao, J.
;
He, G.
;
Liu, M.
;
Lv, J. G.
;
Sun, Z. Q.
;
Zheng, C. Y.
;
Jin, P.
;
Xiao, D. Q.
;
Chen, X. S.
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提交时间:2017/11/21
High-k Dielectric
Interface Thermal Stability
Atomic-layer-deposition
Band Alignment
Electrical Properties
Leakage Current Mechanism
Modification of optical and electrical properties of sol-gel-derived TiO2-doped ZrO2 gate dielectrics by annealing temperature
期刊论文
JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2016, 卷号: 688, 期号: 无, 页码: 252-259
作者:
Xiao, D. Q.
;
He, G.
;
Liu, M.
;
Gao, J.
;
Jin, P.
;
Jiang, S. S.
;
Li, W. D.
;
Zhang, M.
;
Liu, Y. M.
;
Lv, J. G.
;
Sun, Z. Q.
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提交时间:2017/10/18
High-k Gate Dielectrics
Optical Constant
Electrical Properties
Ti incorporaTion
Sol-gel
Conduction Mechanisms
Baking-temperature-modulated optical and electrical properties of HfTiOx gate dielectrics via sol-gel method
期刊论文
JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2016, 卷号: 688, 期号: 无, 页码: 925-932
作者:
Jin, P.
;
He, G.
;
Wang, P. H.
;
Liu, M.
;
Xiao, D. Q.
;
Gao, J.
;
Chen, H. S.
;
Chen, X. S.
;
Sun, Z. Q.
;
Zhang, M.
;
Lv, J. G.
;
Liu, Y. M.
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提交时间:2017/09/11
High-k Gate Dielectrics
Hftiox Thin Films
Sol-gel Processing
Optical Properties
Electrical Properties
Modification of band alignments and optimization of electrical properties of InGaZnO MOS capacitors with high-k HfOxNy gate dielectrics
期刊论文
JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2016, 卷号: 679, 期号: 无, 页码: 115-121
作者:
Zheng, C. Y.
;
He, G.
;
Chen, X. F.
;
Liu, M.
;
Lv, J. G.
;
Gao, J.
;
Zhang, J. W.
;
Xiao, D. Q.
;
Jin, P.
;
Jiang, S. S.
;
Li, W. D.
;
Sun, Z. Q.
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提交时间:2017/10/18
Band Offset
Hfo2/ingazno4 Heterojunctions
X-ray Photoelectron Spectroscopy
Thin Film Transistors
Electrical Properties
Mos Capacitor
Microstructure, optical and electrical properties of sputtered HfFiO high-k gate dielectric thin films
期刊论文
CERAMICS INTERNATIONAL, 2016, 卷号: 42, 期号: 10, 页码: 11640-11649
作者:
Jiang, S. S.
;
He, G.
;
Gao, J.
;
Xiao, D. Q.
;
Jin, P.
;
Li, W. D.
;
Lv, J. G.
;
Liu, M.
;
Liu, Y. M.
;
Sun, Z. Q.
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提交时间:2017/10/18
Electrical Properties
High-k Gate Dielectrics
Metal-oxide-semiconductor
Conduction Mechanisms
Sputtering
Microstructure, wettability, optical and electrical properties of HfO2 thin films: Effect of oxygen partial pressure
期刊论文
JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2016, 卷号: 662, 期号: 无, 页码: 339-347
作者:
Gao, J.
;
He, G.
;
Deng, B.
;
Xiao, D. Q.
;
Liu, M.
;
Jin, P.
;
Zheng, C. Y.
;
Sun, Z. Q.
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提交时间:2017/10/18
Hfo2 Thin Films
Rf Sputtering
Optical Properties
Band Gap
Wettability