×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
切换中国科技网通行证登录
×
切换中国科技网通行证登录
登录
中文版
|
English
中国科学院合肥物质科学研究院机构知识库
Knowledge Management System of Hefei Institute of Physical Science,CAS
登录
注册
ALL
ORCID
题名
作者
学科领域
关键词
文献类型
出处
收录类别
出版者
发表日期
存缴日期
资助项目
学科门类
学习讨论厅
图片搜索
粘贴图片网址
首页
研究单元&专题
作者
文献类型
学科分类
知识图谱
新闻&公告
在结果中检索
研究单元&专题
中科院固体物理研究所 [4]
作者
高建 [4]
刘毛 [4]
张民 [2]
发表日期
2017 [2]
2016 [2]
语种
英语 [4]
出处
CERAMICS I... [2]
JOURNAL OF... [2]
资助项目
资助机构
Anhui Prov... [4]
National K... [4]
National N... [4]
"211 proje... [3]
Outstandin... [3]
11474284 [2]
更多...
收录类别
SCI [4]
摘要
文献类型
期刊论文 [4]
×
知识图谱
HFCAS OpenIR
开始提交
已提交作品
待认领作品
已认领作品
未提交全文
收藏管理
QQ客服
官方微博
反馈留言
浏览/检索结果:
共4条,第1-4条
帮助
限定条件
资助机构:Anhui Provincial Natural Science Foundation(1608085MA06)
已选(
0
)
清除
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
提交时间升序
提交时间降序
题名升序
题名降序
作者升序
作者降序
WOS被引频次升序
WOS被引频次降序
发表日期升序
发表日期降序
期刊影响因子升序
期刊影响因子降序
Interface quality modulation, band alignment modification and optimization of electrical properties of HfGdO/Ge gate stacks by nitrogen incorporation
期刊论文
JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2017, 卷号: 695, 期号: 无, 页码: 2199-2206
作者:
Gao, J.
;
He, G.
;
Fang, Z. B.
;
Lv, J. G.
;
Liu, M.
;
Sun, Z. Q.
浏览
  |  
Adobe PDF(1973Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:120/52
  |  
提交时间:2018/07/04
High-k Gate Dielectrics
Interface Quality
Band Alignment
Electrical Properties
Leakage Current Mechanism
Annealing-temperature-modulated optical, electrical properties, and leakage current transport mechanism of sol-gel-processed high-k HfAlOX gate dielectrics
期刊论文
CERAMICS INTERNATIONAL, 2017, 卷号: 43, 期号: 3, 页码: 3101-3106
作者:
Jin, P.
;
He, G.
;
Fang, Z. B.
;
Liu, M.
;
Xiao, D. Q.
;
Gao, J.
;
Jiang, S. S.
;
Li, W. D.
;
Sun, Z. Q.
;
Zhang, M.
浏览
  |  
Adobe PDF(972Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:107/56
  |  
提交时间:2018/07/04
High-k Hfalox Gate Dielectrics
Sol-gel
Optical Properties
Electrical Properties
Leakage Current Transport Mechanism
Modification of optical and electrical properties of sol-gel-derived TiO2-doped ZrO2 gate dielectrics by annealing temperature
期刊论文
JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2016, 卷号: 688, 期号: 无, 页码: 252-259
作者:
Xiao, D. Q.
;
He, G.
;
Liu, M.
;
Gao, J.
;
Jin, P.
;
Jiang, S. S.
;
Li, W. D.
;
Zhang, M.
;
Liu, Y. M.
;
Lv, J. G.
;
Sun, Z. Q.
浏览
  |  
Adobe PDF(2286Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:127/69
  |  
提交时间:2017/10/18
High-k Gate Dielectrics
Optical Constant
Electrical Properties
Ti incorporaTion
Sol-gel
Conduction Mechanisms
Microstructure, optical and electrical properties of sputtered HfFiO high-k gate dielectric thin films
期刊论文
CERAMICS INTERNATIONAL, 2016, 卷号: 42, 期号: 10, 页码: 11640-11649
作者:
Jiang, S. S.
;
He, G.
;
Gao, J.
;
Xiao, D. Q.
;
Jin, P.
;
Li, W. D.
;
Lv, J. G.
;
Liu, M.
;
Liu, Y. M.
;
Sun, Z. Q.
浏览
  |  
Adobe PDF(2548Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:89/39
  |  
提交时间:2017/10/18
Electrical Properties
High-k Gate Dielectrics
Metal-oxide-semiconductor
Conduction Mechanisms
Sputtering