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| Effect of double AlN buffer layer on the qualities of GaN films grown by radio-frequency molecular beam epitaxy 期刊论文
Chinese Physics B, 2008, 期号: 17
作者: Li Xin-Hua; Zhong Fei; Qiu Kai
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| 原位退火对HVPE生长的GaN外延层光学性质和结构的影响 期刊论文
半导体学报, 2008, 卷号: 029
作者: Duan Chenghong; Qiu Kai; Li Xinhua; Zhong Fei; Yin Zhijun; Han Qifeng; Wang Yuqi
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GaN 原位退火 氢化物气相外延 |
| Effect of III/V Ratio of HT-AlN Buffer Layer on Polarity Selection and Electrical Quality of GaN Films Grown by Radio Frequency Molecular Beam Epitaxy 期刊论文
Chinese Phys. Lett., 2007, 期号: 24
作者: ZHONG Fei; QIU Kai; LI XinHua
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| GaN layers with different polarities prepared by radio frequency molecular beam epitaxy and characterized by Raman scattering 期刊论文
Chinese Phys., 2007, 期号: 16
作者: Zhong Fei; Li Xin-Hua; Qiu Kai
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| Effect of Crucibles on Qualities of Self-Seeded Aluminium Nitride Crystals Grown by Sublimation 期刊论文
Chinese Phys. Lett., 2007, 期号: 24
作者: HAN Qi-Feng; DUAN Cheng-Hong; QIU Kai
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| 采用铟束流保护下的调制中断生长技术改善(0001)GaN表面形貌 期刊论文
半导体学报, 2007, 期号: 8
作者: 钟飞; 邱凯; 李新化; 尹志军; 姬长建; 韩奇峰; 曹先存; 陈家荣; 段钺宏; 周秀菊; 王玉琦
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| 利用混合极性制备多孔缓冲层及其在GaN厚膜外延中的应用 期刊论文
半导体学报, 2007, 期号: 6
作者: 尹志军; 钟飞; 邱凯; 李新化; 王玉琦
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| Effect of Reactor Pressure on Qualities of GaN Layers Grown by Hydride Vapour Phase Epitaxy 期刊论文
Chinese Phys. Lett., 2007, 期号: 24
作者: QIU Kai; YIN Zhi-Jun; LI Xin-Hua
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| 磁场辅助等离子体增强化学气相沉积 期刊论文
真空, 2007, 卷号: 044
作者: 陈家荣; 陈文锦; 邱凯; 马文霞
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PECVD 氮化硅 磁场 沉积速率 折射率 表面形貌 |
| Properties of GaN on different polarity buffer layers by hydride vapour phase epitaxy 期刊论文
Chinese Phys., 2007, 卷号: 16, 期号: 16
作者: Qiu Kai; Zhong Fe; Li Xin-Hu; Yin Zhi-Jun
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GaN HVPE MBE polarity |
