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Modulation of interfacial and electrical properties of ALD-derived HfAlO/Al2O3/Si gate stack by annealing temperature 期刊论文
JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2017, 卷号: 691, 期号: 无, 页码: 504-513
作者:  Gao, J.;  He, G.;  Liu, M.;  Lv, J. G.;  Sun, Z. Q.;  Zheng, C. Y.;  Jin, P.;  Xiao, D. Q.;  Chen, X. S.
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High-k Dielectric  Interface Thermal Stability  Atomic-layer-deposition  Band Alignment  Electrical Properties  Leakage Current Mechanism  
Baking-temperature-modulated optical and electrical properties of HfTiOx gate dielectrics via sol-gel method 期刊论文
JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2016, 卷号: 688, 期号: 无, 页码: 925-932
作者:  Jin, P.;  He, G.;  Wang, P. H.;  Liu, M.;  Xiao, D. Q.;  Gao, J.;  Chen, H. S.;  Chen, X. S.;  Sun, Z. Q.;  Zhang, M.;  Lv, J. G.;  Liu, Y. M.
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High-k Gate Dielectrics  Hftiox Thin Films  Sol-gel Processing  Optical Properties  Electrical Properties  
Modification of band alignments and optimization of electrical properties of InGaZnO MOS capacitors with high-k HfOxNy gate dielectrics 期刊论文
JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2016, 卷号: 679, 期号: 无, 页码: 115-121
作者:  Zheng, C. Y.;  He, G.;  Chen, X. F.;  Liu, M.;  Lv, J. G.;  Gao, J.;  Zhang, J. W.;  Xiao, D. Q.;  Jin, P.;  Jiang, S. S.;  Li, W. D.;  Sun, Z. Q.
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Band Offset  Hfo2/ingazno4 Heterojunctions  X-ray Photoelectron Spectroscopy  Thin Film Transistors  Electrical Properties  Mos Capacitor