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中国科学院合肥物质科学研究院机构知识库
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中科院固体物理研究所 [6]
作者
刘毛 [6]
高建 [4]
张民 [3]
发表日期
2017 [4]
2016 [2]
语种
英语 [6]
出处
JOURNAL OF... [4]
CERAMICS I... [1]
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Annealing temperature-dependent microstructure and optical and electrical properties of solution-derived Gd-doped ZrO2 high-k gate dielectrics
期刊论文
JOURNAL OF SOL-GEL SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2017, 卷号: 83, 期号: 3, 页码: 675-682
作者:
Zhu, L.
;
He, G.
;
Sun, Z. Q.
;
Liu, M.
;
Jiang, S. S.
;
Liang, S.
;
Li, W. D.
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提交时间:2018/08/16
Gd-doped Zro2 Gate Dielectric Thin Films
Annealing Temperature
Sol-gel
Optical Properties
Electrical Properties
Modulation of interfacial and electrical properties of HfGdO/GaAs gate stacks by ammonium sulfide passivation and rapid thermal annealing
期刊论文
JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2017, 卷号: 704, 期号: 无, 页码: 322-328
作者:
Jiang, S. S.
;
He, G.
;
Liang, S.
;
Zhu, L.
;
Li, W. D.
;
Zheng, C. Y.
;
Lv, J. G.
;
Liu, M.
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提交时间:2018/07/04
High-k Gate Dielectrics
Interface Chemistry
Xps Electrical Properties
Cmos Devices
Annealing-temperature-modulated optical, electrical properties, and leakage current transport mechanism of sol-gel-processed high-k HfAlOX gate dielectrics
期刊论文
CERAMICS INTERNATIONAL, 2017, 卷号: 43, 期号: 3, 页码: 3101-3106
作者:
Jin, P.
;
He, G.
;
Fang, Z. B.
;
Liu, M.
;
Xiao, D. Q.
;
Gao, J.
;
Jiang, S. S.
;
Li, W. D.
;
Sun, Z. Q.
;
Zhang, M.
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提交时间:2018/07/04
High-k Hfalox Gate Dielectrics
Sol-gel
Optical Properties
Electrical Properties
Leakage Current Transport Mechanism
Modulation of interfacial and electrical properties of ALD-derived HfAlO/Al2O3/Si gate stack by annealing temperature
期刊论文
JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2017, 卷号: 691, 期号: 无, 页码: 504-513
作者:
Gao, J.
;
He, G.
;
Liu, M.
;
Lv, J. G.
;
Sun, Z. Q.
;
Zheng, C. Y.
;
Jin, P.
;
Xiao, D. Q.
;
Chen, X. S.
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提交时间:2017/11/21
High-k Dielectric
Interface Thermal Stability
Atomic-layer-deposition
Band Alignment
Electrical Properties
Leakage Current Mechanism
Modification of optical and electrical properties of sol-gel-derived TiO2-doped ZrO2 gate dielectrics by annealing temperature
期刊论文
JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2016, 卷号: 688, 期号: 无, 页码: 252-259
作者:
Xiao, D. Q.
;
He, G.
;
Liu, M.
;
Gao, J.
;
Jin, P.
;
Jiang, S. S.
;
Li, W. D.
;
Zhang, M.
;
Liu, Y. M.
;
Lv, J. G.
;
Sun, Z. Q.
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提交时间:2017/10/18
High-k Gate Dielectrics
Optical Constant
Electrical Properties
Ti incorporaTion
Sol-gel
Conduction Mechanisms
Baking-temperature-modulated optical and electrical properties of HfTiOx gate dielectrics via sol-gel method
期刊论文
JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2016, 卷号: 688, 期号: 无, 页码: 925-932
作者:
Jin, P.
;
He, G.
;
Wang, P. H.
;
Liu, M.
;
Xiao, D. Q.
;
Gao, J.
;
Chen, H. S.
;
Chen, X. S.
;
Sun, Z. Q.
;
Zhang, M.
;
Lv, J. G.
;
Liu, Y. M.
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浏览/下载:97/41
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提交时间:2017/09/11
High-k Gate Dielectrics
Hftiox Thin Films
Sol-gel Processing
Optical Properties
Electrical Properties