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Interface control and modification of band alignment and electrical properties of HfTiO/GaAs gate stacks by nitrogen incorporation 期刊论文
J. Mater. Chem. C, 2014, 卷号: 2, 期号: 27, 页码: 5299-5308
作者:  Gang He;  Jiangwei Liu;  Hanshuang Chen;  Yanmei Liu;  Zhaoqi Sun;  Xiaoshuang Chen;  Mao Liu;  Lide Zhang
Adobe PDF(1191Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：68/51  |  提交时间：2016/07/12