中文版 | English

在结果中检索

HFCAS OpenIR

浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助

限定条件    
已选(0)清除 条数/页：   排序方式：
Evolution of interface chemistry and dielectric properties of HfO2/Ge gate stack modulated by Gd incorporation and thermal annealing 期刊论文
AIP ADVANCES, 2016, 卷号: 6, 期号: 2, 页码: 1-7
作者:  He, Gang;  Zhang, Jiwen;  Sun, Zhaoqi;  Lv, Jianguo;  Chen, Hanshuang;  Liu, Mao
浏览  |  Adobe PDF(4026Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：113/51  |  提交时间：2017/09/15