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| 同步辐射μ-SAXS技术原位测量熔融法晶体微观生长基元粒径的方法及微型晶体生长炉 专利 专利类型: 发明, 专利号: 公开号 CN 104567402A, 申请日期: 2015-01-01, 发明人: 张德明 ; 殷绍唐 ; 孙彧 ; 张庆礼 ; 孙敦陆 浏览  |  Adobe PDF(774Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:54/17  |  提交时间:2016/12/21 |
| 同步辐射μ-SAXS技术原位测量熔融法晶体微观生长基元粒径的微型晶体生长炉 专利 专利类型: 实用新型, 专利号: 公开号 CN 204438797U, 申请日期: 2015-01-01, 发明人: 张德明 ; 殷绍唐 ; 孙彧 ; 张庆礼 ; 孙敦陆 浏览  |  Adobe PDF(672Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:68/15  |  提交时间:2016/12/21 |
| 同步辐射μ-XRD技术原位测量熔融法晶体生长微观结构的方法和微型晶体生长炉 专利 专利类型: 发明, 专利号: 公开号 CN 104534879A, 申请日期: 2015-01-01, 发明人: 殷绍唐 ; 张德明 ; 孙彧 ; 张庆礼 ; 孙敦陆 浏览  |  Adobe PDF(759Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:48/22  |  提交时间:2016/12/21 |
| 钙钛矿太阳电池准一维 TiO2纳米结构阵列骨架层制备方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: 公开号 CN 104681722 A, 申请日期: 2015-01-01, 发明人: 王时茂; 董伟伟; 方晓东; 陶汝华; 邓赞红; 邵景珍; 张庆礼 浏览  |  Adobe PDF(1464Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:64/31  |  提交时间:2016/12/16 |
| GIXRD技术原位实时测量晶体生长边界层微观结构的微型晶体生长炉 专利 专利类型: 实用新型, 专利号: 公开号 CN 203720111U, 申请日期: 2013-01-01, 发明人: 殷绍唐 ; 张德明 ; 张庆礼 ; 孙敦陆 ; 张季 ; 王迪 ; 刘文鹏 ; 孙贵花 浏览  |  Adobe PDF(559Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:75/28  |  提交时间:2016/12/21 |
| 掺杂稀土锗镓酸盐RExLn1-xGaGe2O7发光材料及其熔体法晶体生长方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: 102071463A, 申请日期: 2011-01-01, 公开日期: 2013-01-11 发明人: 张庆礼; 殷绍唐; 孙敦陆; 宁凯杰; 刘文鹏; 罗建乔 Adobe PDF(308Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:270/90  |  提交时间:2013/01/11 |
| 钽铌酸铋发光材料及其熔体法晶体生长方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: 102071462A, 申请日期: 2011-01-01, 公开日期: 2013-01-11 发明人: 张庆礼; 殷绍唐; 孙敦陆; 许兰; 刘文鹏; 罗建乔 Adobe PDF(267Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:321/135  |  提交时间:2013/01/11 |
| 稀土或Bi、Cr、Ti掺杂IIA族稀土氧化物发光材料及其制备方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: 102021652A, 申请日期: 2011-01-01, 公开日期: 2013-01-10 发明人: 张庆礼; 殷绍唐; 孙敦陆; 宁凯杰; 高进云; 刘文鹏; 罗建乔 Adobe PDF(610Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:342/112  |  提交时间:2013/01/10 |
| 掺杂稀土钽铌酸盐RE′xRE1-xNbyTa1-yO4发光材料及其熔体法晶体生长方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: 102108551A, 申请日期: 2011-01-01, 公开日期: 2013-01-11 发明人: 张庆礼; 殷绍唐; 刘文鹏; 孙敦陆; 杨华军; 周鹏宇 Adobe PDF(277Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:329/111  |  提交时间:2013/01/11 |
| 掺杂ⅡA族稀土氧化物发光材料及其熔体法生长方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: 102127437A, 申请日期: 2011-01-01, 公开日期: 2013-01-11 发明人: 张庆礼; 殷绍唐; 孙敦陆; 宁凯杰; 刘文鹏; 罗建乔 Adobe PDF(437Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:308/116  |  提交时间:2013/01/11 |