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| Effect of double AlN buffer layer on the qualities of GaN films grown by radio-frequency molecular beam epitaxy 期刊论文
Chinese Physics B, 2008, 期号: 17
作者: Li Xin-Hua; Zhong Fei; Qiu Kai
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| 用于１０*pa超高真空圆形平面磁控溅射靶的密封装置 专利
专利类型: 发明, 专利号: cn101148752, 申请日期: 2008-01-01, 公开日期: 2009-11-10, 2009-11-10
发明人: 邱凯; 李新化; 钟飞; 尹志军; 解新建; 王玉琦
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| 自剥离氮化镓衬底材料的制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: cn101154570, 申请日期: 2008-01-01, 公开日期: 2009-11-10, 2009-11-10
发明人: 邱凯; 尹志军; 李新化; 钟飞; 解新建; 王玉琦
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| 霍尔型离子源 专利
专利类型: 发明, 专利号: cn101197239, 申请日期: 2008-01-01, 公开日期: 2009-11-10, 2009-11-10
发明人: 邱凯; 李新化; 钟飞; 尹志军; 刘敏 ; 王玉琦
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| Effect of III/V Ratio of HT-AlN Buffer Layer on Polarity Selection and Electrical Quality of GaN Films Grown by Radio Frequency Molecular Beam Epitaxy 期刊论文
Chinese Phys. Lett., 2007, 期号: 24
作者: ZHONG Fei; QIU Kai; LI XinHua
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| GaN layers with different polarities prepared by radio frequency molecular beam epitaxy and characterized by Raman scattering 期刊论文
Chinese Phys., 2007, 期号: 16
作者: Zhong Fei; Li Xin-Hua; Qiu Kai
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| 采用铟束流保护下的调制中断生长技术改善(0001)GaN表面形貌 期刊论文
半导体学报, 2007, 期号: 8
作者: 钟飞; 邱凯; 李新化; 尹志军; 姬长建; 韩奇峰; 曹先存; 陈家荣; 段钺宏; 周秀菊; 王玉琦
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| 利用混合极性制备多孔缓冲层及其在GaN厚膜外延中的应用 期刊论文
半导体学报, 2007, 期号: 6
作者: 尹志军; 钟飞; 邱凯; 李新化; 王玉琦
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| 巨磁阻磁传感器及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: cn101212017, 申请日期: 2007-01-01, 公开日期: 2009-11-10, 2009-11-10
发明人: 李新化; 邱凯; 尹志军; 钟飞; 姬长建; 陈家荣; 王玉琦; 林新华; 陈池来; 高理升
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| Properties of GaN on different polarity buffer layers by hydride vapour phase epitaxy 期刊论文
Chinese Phys., 2007, 卷号: 16, 期号: 16
作者: Qiu Kai; Zhong Fe; Li Xin-Hu; Yin Zhi-Jun
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GaN HVPE MBE polarity |
