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原位退火对HVPE生长的GaN外延层光学性质和结构的影响 期刊论文
半导体学报, 2008, 卷号: 029
作者:  Duan Chenghong;  Qiu Kai;  Li Xinhua;  Zhong Fei;  Yin Zhijun;  Han Qifeng;  Wang Yuqi
收藏  |  浏览/下载：49/0  |  提交时间：2020/11/25
GaN  原位退火  氢化物气相外延  
采用铟束流保护下的调制中断生长技术改善(0001)GaN表面形貌 期刊论文
半导体学报, 2007, 期号: 8
作者:  钟飞;  邱凯;  李新化;  尹志军;  姬长建;  韩奇峰;  曹先存;  陈家荣;  段钺宏;  周秀菊;  王玉琦
Adobe PDF(233Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：491/168  |  提交时间：2009/10/20
利用混合极性制备多孔缓冲层及其在GaN厚膜外延中的应用 期刊论文
半导体学报, 2007, 期号: 6
作者:  尹志军;  钟飞;  邱凯;  李新化;  王玉琦
Adobe PDF(249Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：389/154  |  提交时间：2009/10/20
采用铟束流保护下的调制中断生长技术改善（0001）GaN表面形貌 期刊论文
半导体学报, 2007, 卷号: 028
作者:  钟飞;  邱凯;  李新化;  尹志军;  姬长建;  韩奇峰;  曹先存;  陈家荣;  段钺宏;  周秀菊;  王玉琦
收藏  |  浏览/下载：59/0  |  提交时间：2020/11/25
调制中断  表面形貌  GaN薄膜