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氮化镓材料中深能级中心光离化谱测试与分析 期刊论文
光谱学与光谱分析, 2010, 卷号: 000
作者:  尹志军;  王莹;  李素云
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光离化谱  氮化镓  深能级中心  晶格弛豫  
用于超高真空系统的磁控溅射阴极靶 专利
专利类型: 发明, 专利号: cn101161855, 申请日期: 2008-01-01, 公开日期: 2009-11-10, 2009-11-10
发明人:  李新化;  邱凯;  尹志军;  钟飞;  陈家荣
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用于１０*pa超高真空圆形平面磁控溅射靶的密封装置 专利
专利类型: 发明, 专利号: cn101148752, 申请日期: 2008-01-01, 公开日期: 2009-11-10, 2009-11-10
发明人:  邱凯;  李新化;  钟飞;  尹志军;  解新建;  王玉琦
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自剥离氮化镓衬底材料的制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: cn101154570, 申请日期: 2008-01-01, 公开日期: 2009-11-10, 2009-11-10
发明人:  邱凯;  尹志军;  李新化;  钟飞;  解新建;  王玉琦
Adobe PDF(951Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：511/138  |  提交时间：2009/11/10
超高真空磁控溅射矩形平面溅射靶 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN101311300, 申请日期: 2008-01-01, 公开日期: 2009-11-10, 2009-11-10
发明人:  邱凯;  韩奇峰;  姬长建;  曹先存;  段铖宏;  尹志军;  李新化;  王玉琦
Adobe PDF(740Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：561/196  |  提交时间：2009/11/10
霍尔型离子源 专利
专利类型: 发明, 专利号: cn101197239, 申请日期: 2008-01-01, 公开日期: 2009-11-10, 2009-11-10
发明人:  邱凯;  李新化;  钟飞;  尹志军;  刘敏;  王玉琦
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原位退火对HVPE生长的GaN外延层光学性质和结构的影响 期刊论文
半导体学报, 2008, 卷号: 029
作者:  Duan Chenghong;  Qiu Kai;  Li Xinhua;  Zhong Fei;  Yin Zhijun;  Han Qifeng;  Wang Yuqi
收藏  |  浏览/下载：41/0  |  提交时间：2020/11/25
GaN  原位退火  氢化物气相外延  
氮化镓材料的厚膜生长研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2007
作者:  尹志军
Adobe PDF(1943Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：74/22  |  提交时间：2010/04/01
采用铟束流保护下的调制中断生长技术改善(0001)GaN表面形貌 期刊论文
半导体学报, 2007, 期号: 8
作者:  钟飞;  邱凯;  李新化;  尹志军;  姬长建;  韩奇峰;  曹先存;  陈家荣;  段钺宏;  周秀菊;  王玉琦
Adobe PDF(233Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：487/164  |  提交时间：2009/10/20
利用混合极性制备多孔缓冲层及其在GaN厚膜外延中的应用 期刊论文
半导体学报, 2007, 期号: 6
作者:  尹志军;  钟飞;  邱凯;  李新化;  王玉琦
Adobe PDF(249Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：380/145  |  提交时间：2009/10/20