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统计条件
统计范围: 条目【Interface chemistry and electronic structure of ALD-derived HfAlO/Ge gate stacks revealed by X-ray photoelectron spectroscopy】
详细统计:
机器访问: 包括  不包括  只统计机器访问
内部访问: 包括  不包括  只统计内部访问 

统计结果
累计访问量:119  累计下载量:70  
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按年统计
年份 访问量 下载量
2018 5 1
2019 5 1
2020 13 10
2021 12 11
2022 32 19
2023 25 15
2024 27 13
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